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| 講演名 | 2010-06-30 15:30 Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with buried SiO2 wires ○Naoaki Takebe・Takashi Kobayashi・Hiroyuki Suzuki・Yasuyuki Miyamoto・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.）  ED2010-69 SDM2010-70 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-69 SDM2010-70 |
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| 抄録 | （和） | In this paper, we report the fabrication and device characteristics of InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistors (DHBTs) with buried SiO2 wires. The SiO2 wires were buried in the collector and subcollector layers by metalorganic chemical vapor deposition toward reduction of the base-collector capacitance under the base electrode. A current gain of 22 was obtained at a collector current density of 1.25 MA/cm2 for a DHBT with an emitter width of 400 nm. The DC characteristics of DHBTs with buried SiO2 wires were the same as those of DHBTs without buried SiO2 wires on the same substrate. A current gain cutoff frequency (fT) of 213 GHz and a maximum oscillation frequency (fmax) of 100 GHz were obtained at an emitter current density of 725 kA/cm2. |
| （英） | In this paper, we report the fabrication and device characteristics of InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistors (DHBTs) with buried SiO2 wires. The SiO2 wires were buried in the collector and subcollector layers by metalorganic chemical vapor deposition toward reduction of the base-collector capacitance under the base electrode. A current gain of 22 was obtained at a collector current density of 1.25 MA/cm2 for a DHBT with an emitter width of 400 nm. The DC characteristics of DHBTs with buried SiO2 wires were the same as those of DHBTs without buried SiO2 wires on the same substrate. A current gain cutoff frequency (fT) of 213 GHz and a maximum oscillation frequency (fmax) of 100 GHz were obtained at an emitter current density of 725 kA/cm2. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | heterojunction bipolar transistor / InP / MOCVD / CBr4 / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 109, ED2010-69, pp. 75-79, 2010年6月. | |
| 資料番号 | ED2010-69 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-69 SDM2010-70 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-69 SDM2010-70 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with buried SiO2 wires |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / heterojunction bipolar transistor |
| キーワード(2)（和/英） | / InP |
| キーワード(3)（和/英） | / MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | / CBr4 |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武部 直明 / Naoaki Takebe / タケベ ナオアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 嵩 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 裕之 / Hiroyuki Suzuki / スズキ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古屋 一仁 / Kazuhito Furuya / フルヤ カズヒト |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-30 15:30:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-69, SDM2010-70 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.75-79 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
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