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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-30 14:50 ［招待講演］グラフェンチャネルFET：新たな高速デバイスの可能性 ○末光哲也（東北大）  ED2010-67 SDM2010-68 |
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| 抄録 | （和） | グラフェンとは単層のグラファイトを意味し，現在最も盛んである研究領域の一つである．これはグラフェンが高いキャリア移動度を実現可能な材料であり，次世代のトランジスタの材料として注目されているためである．これを実現するためには，材料の特性と共に，既存の半導体プロセスとの親和性も重要な要素となる．従って，高品質のエピタキシャルグラフェンをシリコン基板上に形成する技術が重要となり，その実現のために我々は，まずシリコン基板上にSiCをエピタキシャル成長し，その表面を高温真空下でグラフェン化する技術を開発してきた．また，得られたシリコン基板上エピタキシャルグラフェンを用いたバックゲート型，及び，トップゲート型FETを作製し，その動作を確認した． |
| （英） | Graphene is a single layer of graphite and is now one of exciting area of research because of its potential of high carrier mobility both for electrons and holes. This makes graphene a promising candidate of the channel material of next generation transistors. As well as the material properties, the process compatibility is also an important factor in the semiconductor manufacturing. Therefore we have developed the epitaxial graphene on silicon substrates in a way that SiC is grown on silicon substrates and graphene is formed at the surface of the SiC layer by thermal decomposition in ultra-high vacuum. Back-gate and top-gate field effect transistors by using the epitaxial graphene on silicon substrates were fabricated and characterized. | |
| キーワード | （和） | グラフェン / トランジスタ / SiC / シリコン / / / / |
| （英） | graphene / transistor / SiC / silicon / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 109, ED2010-67, pp. 69-72, 2010年6月. | |
| 資料番号 | ED2010-67 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-67 SDM2010-68 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | グラフェンチャネルFET：新たな高速デバイスの可能性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Graphene channel FET: A New Candidate for High-Speed Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / graphene |
| キーワード(2)（和/英） | トランジスタ / transistor |
| キーワード(3)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(4)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 末光 哲也 / Tetsuya Suemitsu / スエミツ テツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-30 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-67, SDM2010-68 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.69-72 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
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