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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-30 16:10 Fundamental oscillations at ~900 GHz with low bias voltages in RTDs having spike-doped structures ○Safumi Suzuki・Kiyohito Sawada・Atsushi Teranishi・Masahiro Asada（Tokyo Inst. of Tech.）・Hiroki Sugiyama・Haruki Yokoyama（NTT）  ED2010-61 SDM2010-62 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | We demonstrate fundamental oscillations at around 900 GHz with low bias voltages in resonant tunnelling diodes (RTDs) having spike-doped structures. The voltages at the current peak were 0.67 and 0.4 V for RTDs with the spike-doping concentrations of 2×10^18 and 1×10^19 cm^-3, respectively, and 0.94 V for the RTD without spike doping. The peak current densities were around 18 mA/um^2 and remained almost unchanged even after the spike doping. The highest oscillation frequency observed in this study was 898 GHz in the 0.53-um^2-mesa area for the RTD with a spike-doping concentration of 2×10^18 cm^-3. | |
| キーワード | （和） | テラヘルツ / 共鳴トンネルダイオード / / / / / / |
| （英） | terahertz / resonant tunneling diode / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 109, ED2010-61, pp. 47-48, 2010年6月. | |
| 資料番号 | ED2010-61 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-61 SDM2010-62 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fundamental oscillations at ~900 GHz with low bias voltages in RTDs having spike-doped structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ / terahertz |
| キーワード(2)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード / resonant tunneling diode |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 左文 / Safumi Suzuki / スズキ サフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤田 清仁 / Kiyohito Sawada / サワダ キヨヒト |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺西 豊志 / Atsushi Teranishi / テラニシ アツシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅田 雅洋 / Masahiro Asada / アサダ マサヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama / スギヤマ ヒロキ |
| 第5著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 春喜 / Haruki Yokoyama / ヨコヤマ ハルキ |
| 第6著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-30 16:10:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-61, SDM2010-62 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.47-48 |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
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