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| 講演名 | 2010-07-01 10:45 ［招待講演］III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積 ○高木信一・竹中 充（東大）  ED2010-78 SDM2010-79 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-78 SDM2010-79 |
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| 抄録 | （和） | 高移動度のIII-V族化合物半導体やGeをチャネルとするCMOSが、将来の高駆動力・低消費電力LSIのためのデバイス構造として、現在注目を集めている。更に、これらの材料をSi基板上に集積化する異種集積技術は、このような高性能のCMOSロジックに留まらず、種々の機能デバイスを同一チップに集積化するような新しいSoCを実現するためのキー技術である。本論文では、Siプラットフォーム上のIII-V/Ge CMOSの課題、および課題を解決する上で現在取り組んでいる技術の現状を紹介する。 |
| （英） | CMOS utilizing high mobility III-V/Ge channels on Si substrates is expected to be one of key devices for high performance and low power advanced LSIs in the future. In addition, the heterogeneous integration of these materials on the Si platform can provide a variety of applications from high speed logic CMOS to versatile SoC chips, where various functional devices can be co-integrated. In this presentation, we review the current status of III-V/Ge CMOS, the critical issues and possible solutions to break through the difficulties. | |
| キーワード | （和） | CMOS / III-V族化合物半導体 / Ge / 異種集積 / 移動度 / / / |
| （英） | CMOS / III-V compound semiconductor / Ge / Heterogeneous integration / mobility / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 110, SDM2010-79, pp. 119-124, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-79 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-78 SDM2010-79 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-78 SDM2010-79 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | III-V/Ge CMOS technologies and heterogeneous integrations on Si platform |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | III-V族化合物半導体 / III-V compound semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(4)（和/英） | 異種集積 / Heterogeneous integration |
| キーワード(5)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 信一 / Shinichi Takagi / タカギ シンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹中 充 / Mitsuru Takenaka / タケナカ ミツル |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-01 10:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2010-78, SDM2010-79 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.119-124 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
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