| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-07-02 12:15 High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface ○Xiang Li・Rihito Kuroda・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.）  ED2010-93 SDM2010-94 |
|
| 抄録 | （和） | A low temperature atomically flattening technology for Si(100) wafer is developed. By annealing in ultra pure argon ambient at 800 ºC, atomically flat surfaces composed of atomic terraces and steps appear uniformly in the whole 200 mm wafer without generating slip line defects. Moreover, the whole 200 mm wafer surface can be atomically flattened in shorter time by increasing the argon gas flow rate and the annealing temperature of vertical furnace. Furthermore, the MOS capacitors with the atomically flat gate oxide/Si interface formed by radical oxidation on the flattened surface show superior insulating properties such as higher Ebd and Qbd. |
| （英） | A low temperature atomically flattening technology for Si(100) wafer is developed. By annealing in ultra pure argon ambient at 800 ºC, atomically flat surfaces composed of atomic terraces and steps appear uniformly in the whole 200 mm wafer without generating slip line defects. Moreover, the whole 200 mm wafer surface can be atomically flattened in shorter time by increasing the argon gas flow rate and the annealing temperature of vertical furnace. Furthermore, the MOS capacitors with the atomically flat gate oxide/Si interface formed by radical oxidation on the flattened surface show superior insulating properties such as higher Ebd and Qbd. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | silicon surface / atomically flattening / MOS / radical oxidation / SiO2/Si interface / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 110, SDM2010-94, pp. 183-188, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-94 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-93 SDM2010-94 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / silicon surface |
| キーワード(2)（和/英） | / atomically flattening |
| キーワード(3)（和/英） | / MOS |
| キーワード(4)（和/英） | / radical oxidation |
| キーワード(5)（和/英） | / SiO2/Si interface |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 李 翔 / Xiang Li / リ ショウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-02 12:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2010-93, SDM2010-94 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.183-188 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]