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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-07-02 15:50 Theoretical Study of the Hydrogen Effect on the Program/Erase Cycle of MONOS-Type Memories Akira Otake・○Keita Yamaguchi・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.）  ED2010-100 SDM2010-101 |
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| 抄録 | （和） | Due to the aggressive scaling of non-volatile memories, “charge-trap memories” such as MONOS type memories are inevitable. One of the merits of charge trap memories is that they can trap charge inside atomic-scale defect sites in SiN layers. At the same time, however, charge traps with atomistic scale tend to induce additional large structural changes. Hydrogen has attracted a great attention as important heteroatom in MONOS type memories. We theoretically investigate the basic characteristics of hydrogen-defects in SiN layer in MONOS type memories based on first principle calculations. We found that SiN structures with a hydrogen impurity tend to reveal reversible structural change during program/erase operation. |
| （英） | Due to the aggressive scaling of non-volatile memories, “charge-trap memories” such as MONOS type memories are inevitable. One of the merits of charge trap memories is that they can trap charge inside atomic-scale defect sites in SiN layers. At the same time, however, charge traps with atomistic scale tend to induce additional large structural changes. Hydrogen has attracted a great attention as important heteroatom in MONOS type memories. We theoretically investigate the basic characteristics of hydrogen-defects in SiN layer in MONOS type memories based on first principle calculations. We found that SiN structures with a hydrogen impurity tend to reveal reversible structural change during program/erase operation. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | MONOS / SiN / First principles calculations / non-volatile memory / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 110, SDM2010-101, pp. 221-224, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-101 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-100 SDM2010-101 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Study of the Hydrogen Effect on the Program/Erase Cycle of MONOS-Type Memories |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / MONOS |
| キーワード(2)（和/英） | / SiN |
| キーワード(3)（和/英） | / First principles calculations |
| キーワード(4)（和/英） | / non-volatile memory |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大竹 朗 / Akira Otake / オオタケ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 慶太 / Keita Yamaguchi / ヤマグチ ケイタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba.) |
| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2010-07-02 15:50:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2010-100, SDM2010-101 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.221-224 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
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