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講演抄録/キーワード
講演名
2010-07-02 12:05
A Non-snapback NMOS ESD Clamp Circuit using Gate-Coupled Scheme with Isolated Well in a Bipolar-CMOS-DMOS Process
○
Jae-Young Park
・
Dae-Woo Kim
・
Young-San Son
・
Jong-Chan Ha
・
Jong-Kyu Song
・
Chang-Soo Jang
・
Won-Young Jung
(
Dongbu HiTek
)
ED2010-111 SDM2010-112
エレソ技報アーカイブへのリンク:
ED2010-111
SDM2010-112
抄録
(和)
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(英)
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キーワード
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文献情報
信学技報, vol. 110, no. 109, ED2010-111, pp. 269-274, 2010年6月.
資料番号
ED2010-111
発行日
2010-06-23 (ED, SDM)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会
ED SDM
開催期間
2010-06-30 - 2010-07-02
開催地(和)
東工大 大岡山キャンパス
開催地(英)
Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus
テーマ(和)
第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010)
テーマ(英)
2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
講演論文情報の詳細
申込み研究会
ED
会議コード
2010-06-ED-SDM
本文の言語
英語
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英)
A Non-snapback NMOS ESD Clamp Circuit using Gate-Coupled Scheme with Isolated Well in a Bipolar-CMOS-DMOS Process
サブタイトル(英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
Jae-Young Park
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第1著者 所属(和/英)
Dongbu HiTek
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第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
Dae-Woo Kim
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第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
Jong-Kyu Song
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
Chang-Soo Jang
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Dongbu HiTek
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
Won-Young Jung
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
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講演者
第1著者
発表日時
2010-07-02 12:05:00
発表時間
15分
申込先研究会
ED
資料番号
ED2010-111, SDM2010-112
巻番号(vol)
vol.110
号番号(no)
no.109(ED), no.110(SDM)
ページ範囲
pp.269-274
ページ数
6
発行日
2010-06-23 (ED, SDM)
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