講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-07-02 11:05
Characteristics of GaN p-n diode with damage layer induced by ICP plasma process ○Tsutomu Uesugi・Tetsu Kachi(Toyota Central R&D Labs.)・Tamotsu Hashizume(Hokkaido Univ.) ED2010-108 SDM2010-109 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-108 SDM2010-109 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 109, ED2010-108, pp. 253-256, 2010年6月. |
資料番号 |
ED2010-108 |
発行日 |
2010-06-23 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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研究会情報 |
研究会 |
ED SDM |
開催期間 |
2010-06-30 - 2010-07-02 |
開催地(和) |
東工大 大岡山キャンパス |
開催地(英) |
Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
テーマ(和) |
第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
テーマ(英) |
2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2010-06-ED-SDM |
本文の言語 |
英語 |
タイトル(和) |
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サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Characteristics of GaN p-n diode with damage layer induced by ICP plasma process |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
上杉 勉 / Tsutomu Uesugi / ウエスギ ツトム |
第1著者 所属(和/英) |
豊田中央研究所 (略称: 豊田中研)
Toyota Central Research and Development Labpratories (略称: Toyota Central R&D Labs.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
加地 徹 / Tetsu Kachi / カチ テツ |
第2著者 所属(和/英) |
豊田中央研究所 (略称: 豊田中研)
Toyota Central Research and Development Labpratories (略称: Toyota Central R&D Labs.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
第3著者 所属(和/英) |
北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2010-07-02 11:05:00 |
発表時間 |
15分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2010-108, SDM2010-109 |
巻番号(vol) |
vol.110 |
号番号(no) |
no.109(ED), no.110(SDM) |
ページ範囲 |
pp.253-256 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2010-06-23 (ED, SDM) |
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