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| 講演名 | 2010-07-02 15:45 Study on Impurity Distribution Dependence of Electron-Dynamics in Vertical MOSFET ○Masakazu Muraguchi・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST）  ED2010-120 SDM2010-121 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-120 SDM2010-121 |
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| 抄録 | （和） | In this study, we focus on the electron propagation in the V-MOSFET under the different impurity distribution of the pillar from the viewpoint of the quantum electro-dynamics. The impurity distribution in the perpendicular and the propagating cross sections are investigated. The results enable us to obtain the guiding principle to design the V-MOSFET beyond 20nm design rule. |
| （英） | In this study, we focus on the electron propagation in the V-MOSFET under the different impurity distribution of the pillar from the viewpoint of the quantum electro-dynamics. The impurity distribution in the perpendicular and the propagating cross sections are investigated. The results enable us to obtain the guiding principle to design the V-MOSFET beyond 20nm design rule. | |
| キーワード | （和） | Vertical MOSFET / Quantum Electro-Dynamics / Impurity / Time-Dependent Schrödinger Equation / Source Edge / / / |
| （英） | Vertical MOSFET / Quantum Electro-Dynamics / Impurity / Time-Dependent Schrödinger Equation / Source Edge / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 110, SDM2010-121, pp. 309-313, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-121 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-120 SDM2010-121 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-120 SDM2010-121 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on Impurity Distribution Dependence of Electron-Dynamics in Vertical MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Vertical MOSFET / Vertical MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | Quantum Electro-Dynamics / Quantum Electro-Dynamics |
| キーワード(3)（和/英） | Impurity / Impurity |
| キーワード(4)（和/英） | Time-Dependent Schrödinger Equation / Time-Dependent Schrödinger Equation |
| キーワード(5)（和/英） | Source Edge / Source Edge |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村口 正和 / Masakazu Muraguchi / ムラグチ マサカズ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学/JST-CREST (略称： 東北大/JST) Tohoku University/JST-CREST (略称： Tohoku Univ./JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学/JST-CREST (略称： 東北大/JST) Tohoku University/JST-CREST (略称： Tohoku Univ./JST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-02 15:45:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2010-120, SDM2010-121 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.309-313 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
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