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講演抄録/キーワード
講演名 2010-07-15 13:45
近傍電磁界を利用する無線機器の植込み型デバイスへの電磁干渉評価法
石原 哲井山隆弘大西輝夫垂澤芳明NTTドコモEMCJ2010-25
抄録 (和) 本研究は近傍電磁界を利用する無線機器の植込み型デバイスへの電磁干渉評価法確立を目的としており,特にBAN (Body Area Network) 機器に対する評価法を検討している.評価法を検討するにあたり,総務省が植込み型デバイスへの電磁干渉評価に使用しているトルソーファントムのBAN機器への適用可能性を評価している.本報告では,電界分布が異なる代表的な2種類の送信機に関してFDTD (Finite-Difference Time-Domain) 法を用いた数値計算による検討結果を示す.送信機1は人体周辺に,送信機2は送信機近傍に強い電界が生じる特徴を持つ.評価法検討の手順として,実際の人体内およびトルソーファントム内に設置された植込み型デバイスへ励起される電圧を比較評価し,トルソーファントムの適用性を確認した.送信機1および2に関して,トルソーファントム内および人体内のデバイスへ励起される電圧を数値計算評価した結果,トルソーファントム内のほうが5.7 dBおよび3.2 dB高くなり,両送信機に関してトルソーファントムを適用可能なことを示した. 
(英) The objective of this study is to establish electromagnetic interference (EMI) evaluation techniques for wireless devices that use the near-field electromagnetic field (EMF), especially body area network (BAN) devices. The torso phantom is employed for an EMI evaluation. The EMI evaluation method is valid in cases that the induced voltage at a device placed in the torso phantom is higher than that for a device implanted in a human body. As a calculation method, the Finite-Difference Time-Domain (FDTD) method is used. Two types of transmitters are used as BAN devices. Transmitters 1 and 2 induce an electric field that surrounds the whole human body and near the transmitter, respectively. As a result, when using transmitters 1 and 2, voltages induced at the device placed in the torso phantom are 5.7 and 3.2 dB higher than that implanted in the human body, respectively. Consequently, it is confirmed that the EMI evaluation method using the torso phantom can be used.
キーワード (和) 近傍電磁界 / 電磁干渉評価法 / トルソーファントム / 植込み型デバイス / / / /  
(英) Near-field EMF / EMI evaluation method / Torso phantom / Implanted device / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 125, EMCJ2010-25, pp. 21-26, 2010年7月.
資料番号 EMCJ2010-25 
発行日 2010-07-08 (EMCJ) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2010-25

研究会情報
研究会 EMCJ  
開催期間 2010-07-15 - 2010-07-15 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 若手研究者発表会 
テーマ(英) Presentation Contest of Young Scientist Award 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EMCJ 
会議コード 2010-07-EMCJ 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 近傍電磁界を利用する無線機器の植込み型デバイスへの電磁干渉評価法 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Evaluation Method for EMI of an Implanted Device by Wireless Devices Using Near-field EMF 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 近傍電磁界 / Near-field EMF  
キーワード(2)(和/英) 電磁干渉評価法 / EMI evaluation method  
キーワード(3)(和/英) トルソーファントム / Torso phantom  
キーワード(4)(和/英) 植込み型デバイス / Implanted device  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 石原 哲 / Satoshi Ishihara / イシハラ サトシ
第1著者 所属(和/英) 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ (略称: NTTドコモ)
NTT DOCOMO, INC. (略称: NTT DOCOMO)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井山 隆弘 / Takahiro Iyama / イヤマ タカヒロ
第2著者 所属(和/英) 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ (略称: NTTドコモ)
NTT DOCOMO, INC. (略称: NTT DOCOMO)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大西 輝夫 / Teruo Onishi / オオニシ テルオ
第3著者 所属(和/英) 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ (略称: NTTドコモ)
NTT DOCOMO, INC. (略称: NTT DOCOMO)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 垂澤 芳明 / Yoshiaki Tarusawa / タルサワ ヨシアキ
第4著者 所属(和/英) 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ (略称: NTTドコモ)
NTT DOCOMO, INC. (略称: NTT DOCOMO)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-07-15 13:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 EMCJ 
資料番号 EMCJ2010-25 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.125 
ページ範囲 pp.21-26 
ページ数
発行日 2010-07-08 (EMCJ) 


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