| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-08-26 15:50 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作 ○片山健夫・坂口 淳・河口仁司（奈良先端大）  EMD2010-37 CPM2010-53 OPE2010-62 LQE2010-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2010-37 CPM2010-53 OPE2010-62 LQE2010-35 |
|
| 抄録 | （和） | 偏光双安定VCSELの発振偏光状態として情報を記録する光バッファメモリの高速動作について評価した。バッファメモリの高速動作のためには、制御入力光の周波数離調及び強度の適切な設定が必要である。今回、980 nm帯VCSELを用いて、20 Gb/sの2^{6}-1ビットRZ擬似ランダム信号中の任意の1ビットの記録と、40 Gb/s の6ビットNRZ符号信号中の任意の1ビットの記録に成功した。これらは、フリップ・フロップ型全光メモリの動作としては現在最高速のものである。この時の入力光信号強度は共に250 μWであり、VCSELの出力光強度よりも弱く、光利得をもつ。将来の全光型ネットワークのキーデバイスとして期待できる。 |
| （英） | Ultrafast all-optical memory operation was experimentally demonstrated using a 980-nm polarization-bistable vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL). At the optimum condition of the optical input power and the detuning frequency, 1-bit data signals were arbitrarily sampled and memorized from a 2^{6}-1 pseudorandom bit sequence return-to-zero signal at 20 Gb/s and a 6-bit non-return-to-zero signal at 40 Gb/s by AND gate and memory functionalities. Both memory operations had optical gain. All-optical flip-flop memories based on polarization bistable VCSELs may be useful for the ultrafast all-optical future networks. | |
| キーワード | （和） | 面発光半導体レーザ (VCSEL) / 光バッファメモリ / 偏光双安定性 / / / / / |
| （英） | Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) / Optical Buffer Memory / Polarization Bistability / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 181, LQE2010-35, pp. 53-56, 2010年8月. | |
| 資料番号 | LQE2010-35 | |
| 発行日 | 2010-08-19 (EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2010-37 CPM2010-53 OPE2010-62 LQE2010-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2010-37 CPM2010-53 OPE2010-62 LQE2010-35 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD OPE LQE CPM |
| 開催期間 | 2010-08-26 - 2010-08-27 |
| 開催地（和） | 千歳アルカディアプラザ |
| 開催地（英） | Chitose Arcadia Plaza |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-08-EMD-OPE-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultrafast all-optical memory operation using a polarization bistable VCSEL |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 面発光半導体レーザ (VCSEL) / Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) |
| キーワード(2)（和/英） | 光バッファメモリ / Optical Buffer Memory |
| キーワード(3)（和/英） | 偏光双安定性 / Polarization Bistability |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片山 健夫 / Takeo Katayama / カタヤマ タケオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂口 淳 / Jun Sakaguchi / サカグチ ジュン |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河口 仁司 / Hitoshi Kawaguchi / カワグチ ヒトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第4著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-08-26 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | EMD2010-37, CPM2010-53, OPE2010-62, LQE2010-35 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.178(EMD), no.179(CPM), no.180(OPE), no.181(LQE) |
| ページ範囲 | pp.53-56 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-08-19 (EMD, CPM, OPE, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]