| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2010-08-27 17:20
高密度化による波長1.3um帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上
○田中 有（富士通研/富士通/QDレーザ/光電子融合基盤技研）・高田 幹・石田 充（東大）・松本 武・宋 海智・江川 満（富士通研）・中田義昭（富士通研/QDレーザ）・山本剛之（富士通研/富士通/光電子融合基盤技研）・山口正臣・西 研一・菅原 充（QDレーザ）・荒川泰彦（東大）  EMD2010-60 CPM2010-76 OPE2010-85 LQE2010-58 |
| 抄録 |
（和） |
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| （英） |
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| キーワード |
（和） |
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| 文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 181, LQE2010-58, pp. 157-162, 2010年8月. |
| 資料番号 |
LQE2010-58 |
| 発行日 |
2010-08-19 (EMD, CPM, OPE, LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
EMD2010-60 CPM2010-76 OPE2010-85 LQE2010-58 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
EMD OPE LQE CPM |
| 開催期間 |
2010-08-26 - 2010-08-27 |
| 開催地（和） |
千歳アルカディアプラザ |
| 開催地（英） |
Chitose Arcadia Plaza |
| テーマ（和） |
光部品・電子デバイス実装技術、一般 |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
LQE |
| 会議コード |
2010-08-EMD-OPE-LQE-CPM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
高密度化による波長1.3um帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Improved performances of 1.3-um InAs/GaAs high-density quantum dot lasers |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
田中 有 / Yu Tanaka / タナカ ユウ |
| 第1著者 所属（和/英） |
株式会社富士通研究所/富士通株式会社/株式会社QDレーザ/技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 (略称： 富士通研/富士通/QDレーザ/光電子融合基盤技研)
Fujitsu Laboratories LTD./Fujitsu LTD./QD laser Inc./Photonics Electronics Technology Research Association (略称： Fujitsu labs./Fujitsu/QD laser/PETRA) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
高田 幹 / Kan Takada / タカダ カン |
| 第2著者 所属（和/英） |
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 (略称： 東大)
Institute for Nano Quantum Information Electronics, The university of Tokyo (略称： NanoQuine, Tokyo univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
石田 充 / Mitsuru Ishida / イシダ ミツル |
| 第3著者 所属（和/英） |
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 (略称： 東大)
Institute for Nano Quantum Information Electronics, The university of Tokyo (略称： NanoQuine, Tokyo univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
松本 武 / Takeshi Matsumoto / マツモト タケシ |
| 第4著者 所属（和/英） |
株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研)
Fujitsu laboratories LTD. (略称： Fujitsu Labs) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
宋 海智 / Hai-Zhi Song / ソン ハイチ |
| 第5著者 所属（和/英） |
株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研)
Fujitsu laboratories LTD. (略称： Fujitsu Labs) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
江川 満 / Mitsuru Ekawa / エカワ ミツル |
| 第6著者 所属（和/英） |
株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研)
Fujitsu laboratories LTD. (略称： Fujitsu Labs) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
中田 義昭 / Yoshiaki Nakata / ナカタ ヨシアキ |
| 第7著者 所属（和/英） |
株式会社富士通研究所/株式会社QDレーザ (略称： 富士通研/QDレーザ)
Fujitsu laboratories LTD./QD laser Inc. (略称： Fujitsu Labs/QD laser) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山本 剛之 / Tsuyoshi Yamamoto / ヤマモト ツヨシ |
| 第8著者 所属（和/英） |
株式会社富士通研究所/富士通株式会社/技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 (略称： 富士通研/富士通/光電子融合基盤技研)
Fujitsu Laboratories LTD./Fujitsu LTD./Photonics Electronics Technology Research Association (略称： Fujitsu labs/Fujitsu/PETRA) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山口 正臣 / Masaomi Yamaguchi / ヤマグチ マサオミ |
| 第9著者 所属（和/英） |
株式会社QDレーザ (略称： QDレーザ)
QD laser Inc. (略称： QD laser) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
西 研一 / Kenichi Nishi / ニシ ケンイチ |
| 第10著者 所属（和/英） |
株式会社QDレーザ (略称： QDレーザ)
QD laser Inc. (略称： QD laser) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
菅原 充 / Mitsuru Sugawara / スガワラ ミツル |
| 第11著者 所属（和/英） |
株式会社QDレーザ (略称： QDレーザ)
QD laser Inc. (略称： QD laser) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） |
荒川 泰彦 / Yasuhiko Arakawa / アラカワ ヤスヒコ |
| 第12著者 所属（和/英） |
東京大学生産技術研究所 (略称： 東大)
Institute of Industrial Science, the university of Tokyo (略称： IIS, Tokyo univ.) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第13著者 所属（和/英） |
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| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第16著者 所属（和/英） |
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| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第21著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第22著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第24著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第25著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第26著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第27著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第28著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第29著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第33著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第34著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第35著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 所属（和/英） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2010-08-27 17:20:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
LQE |
| 資料番号 |
EMD2010-60, CPM2010-76, OPE2010-85, LQE2010-58 |
| 巻番号（vol） |
vol.110 |
| 号番号（no） |
no.178(EMD), no.179(CPM), no.180(OPE), no.181(LQE) |
| ページ範囲 |
pp.157-162 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2010-08-19 (EMD, CPM, OPE, LQE) |