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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-09-09 13:55 直列接続負荷型GaN HEMTドハティ電力増幅器のひずみ低減手法の提案 ○河合 慧・高山洋一郎・石川 亮・本城和彦（電通大）  MW2010-67 |
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| 抄録 | （和） | 広いダイナミックレンジで高効率動作が期待出来るマイクロ波電力増幅器としてドハティ増幅器が注目されている．ドハティ増幅器は並列接続負荷形及び直列接続負荷形の2種類の構成がドハティにより提案されているが，我々はバランを用いたマイクロ波帯直列接続負荷形ドハティ増幅器の設計手法を提案し，従来のプッシュプル増幅器に比べバックオフ時効率を大幅に改善できることを示した[5]-[7]．本稿では，広ダイナミックレンジでの高効率に加え低ひずみ特性の実現を目指して，同増幅器のひずみ低減手法を提案し，実際に1.9GHz GaN HEMT直列接続負荷形ドハティ増幅器を設計試作して得られた特性について述べる．同増幅器は飽和出力電力31dBmにおいて付加電力効率(PAE)58%，入力バックオフ10dBで出力電力24dBm，PAE31%の良好な広ダイナミックレンジ高効率特性と，出力バックオフ14dB以上で，IMD3は-35dBc以下と良好なひずみ特性を実現できた． |
| （英） | Recently, much attention has been given to Doherty amplifiers as microwave power amplifiers that have the possibility of realizing high power efficiency and low-distortion characteristics with a wide dynamic range. Doherty introduced two types of concepts for high-efficiency linear amplifiers in 1936. One has a shunt connected load and the other has a series connected load. We proposed the microwave Doherty amplifier with a series connected load and fabricated a 1.9 GHz GaN HEMT Doherty power amplifier using baluns [5]-[7]. The amplifier realized high power efficiency with a wide dynamic range in comparison with a conventional push-pull amplifier. In this paper, we propose distortion reduction method for the Doherty amplifier with a series connected load and achieved reduction of the third-order intermodulation distortion more than 15 dB at the output power from 5 to 20 dBm. The amplifier realized power added-efficiency (PAE) of 31 % at the output power of 24 dBm at 10 dB input backoff from the saturated output power of 31 dBm with PAE of 58 % and a third-order intermodulation distortion of lower than –35 dBc at output backoff of lower than 14 dB from the saturated output power of 31 dBm. | |
| キーワード | （和） | ドハティ増幅器 / 直列接続負荷形 / マイクロ波電力増幅器 / GaN HEMT / バラン / 三次相互変調ひずみ / / |
| （英） | Doherty amplifier / series connected load type / microwave amplifiers / GaN HEMT / balun / third-order intermodulation distortion / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 197, MW2010-67, pp. 7-12, 2010年9月. | |
| 資料番号 | MW2010-67 | |
| 発行日 | 2010-09-02 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2010-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2010-09-09 - 2010-09-10 |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. |
| テーマ（和） | 学生研究会／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2010-09-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 直列接続負荷型GaN HEMTドハティ電力増幅器のひずみ低減手法の提案 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Proposal of distortion reduction method for the GaN HEMT Doherty Power Amplifier with a Series Connected Load |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ドハティ増幅器 / Doherty amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | 直列接続負荷形 / series connected load type |
| キーワード(3)（和/英） | マイクロ波電力増幅器 / microwave amplifiers |
| キーワード(4)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | バラン / balun |
| キーワード(6)（和/英） | 三次相互変調ひずみ / third-order intermodulation distortion |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河合 慧 / Satoshi Kawai / カワイ サトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高山 洋一郎 / Yoichiro Takayama / タカヤマ ヨウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-09-09 13:55:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2010-67 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.197 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-09-02 (MW) |
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