講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-09-13 14:30
GaAs系ナノワイヤFETを用いたTHzセンシングと確率共鳴による感度向上の検討 ○葛西誠也(北大/JST)・三浦健輔・白鳥悠太(北大) ED2010-125 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-125 |
抄録 |
(和) |
GaAsエッチングナノワイヤFETによるTHz信号センシングについて述べる.デバイスを低温で動作させ量子化コンダクタンスを発現させると,その強い非線形性によりTHzフォトカレントが生じることを実験的に確認した.実験結果とフォトカレントのメカニズムにもとづき,FET並列加算ネットワーク上で確率共鳴を引き起こすことで微弱THz信号センシング能力の獲得とデバイス動作温度の向上の可能性について検討する. |
(英) |
THz signal sensing using GaAs nanowire FETs formed by lithography and chemical etching is described. THz photocurrent is experimentally observed when the device is operated at low temperature and conductance quantization appears. This result indicates that the strong nonlinear transfer characteristic plays an important role in conversion of the THz signal to the DC photocurrent. On the basis of this mechanism, sensing of very weak THz signal utilizing stochastic resonance in a FET parallel summing network is discussed. |
キーワード |
(和) |
THzセンシング / ナノワイヤFET / 確率共鳴 / 量子化コンダクタンス / 非線形 / ネットワーク / / |
(英) |
THz sensing / Nanowire FET / Stochastic Resonance / Quantized conductance / Nonlinear / Network / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 203, ED2010-125, pp. 13-17, 2010年9月. |
資料番号 |
ED2010-125 |
発行日 |
2010-09-06 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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