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講演抄録/キーワード
講演名 2010-10-19 13:40
TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析
堤 早希御田村直樹赤池宏之井上真澄藤巻 朗名大SCE2010-29
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 110, no. 235, SCE2010-29, pp. 31-36, 2010年10月.
資料番号 SCE2010-29 
発行日 2010-10-12 (SCE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SCE2010-29

研究会情報
研究会 SCE  
開催期間 2010-10-19 - 2010-10-19 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般 
テーマ(英) Fundamental Technologies for Superconducting Electronics, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SCE 
会議コード 2010-10-SCE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Numerical analysis on the exclusion effect of magnetic field on superconducting thin film by using TDGL equation 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 堤 早希 / Saki Tsutsumi / ツツミ サキ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 御田村 直樹 / Naoki Mitamura / ミタムラ ナオキ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤池 宏之 / Hiroyuki Akaike / アカイケ ヒロユキ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 真澄 / Masumi Inoue / イノウエ マスミ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤巻 朗 / Akira Fujimaki / フジマキ アキラ
第5著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-10-19 13:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SCE 
資料番号 SCE2010-29 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.235 
ページ範囲 pp.31-36 
ページ数
発行日 2010-10-12 (SCE) 


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