| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2010-10-22 10:30
計算化学によるSi/SiC量子ドット太陽電池におけるキャリアトラップの解析 ○広瀬 祥・山下 格・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明(東北大) SDM2010-161 |
| 抄録 |
(和) |
Si/SiC量子ドット太陽電池では、量子ドット/バルク界面欠陥によるキャリアトラップが問題となっている。これはSiとSiCの格子不整合が原因である。本研究では、計算化学手法を用いて原子レベルでの界面構造とキャリアトラップの関連を解析した。また、異なるSiC結晶構造を用いてバルクの結晶構造の違いが界面欠陥やキャリアトラップに与える影響を検討した。 |
| (英) |
Quantum dot solar cells are expected as high-efficiency solar cells. However, reported efficiencies are lower than the half of the ideal value. To improve the efficiency, optimization of the cell structure is necessary. Particularly, in Si/SiC type solar cells, Si/SiC interface defects are a big problem. In this study, we investigated the effect of the interface defects on electronic structure and carrier transfer. Moreover, we also researched the effect of type of SiC crystal structure on them. |
| キーワード |
(和) |
量子ドット太陽電池 / 量子化学計算 / SiC / / / / / |
| (英) |
Quantum Dot Solar Cells / SiC / Carrier Transfer / Quantum Chemical Calculation / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 241, SDM2010-161, pp. 39-40, 2010年10月. |
| 資料番号 |
SDM2010-161 |
| 発行日 |
2010-10-14 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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SDM2010-161 |