講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-10-23 14:30
バイポーラ型抵抗変化メモリ素子を用いたSTDPシナプスデバイス ○赤穂伸雄・浅井哲也(北大)・柳田 剛・川合知二(阪大)・雨宮好仁(北大) NC2010-46 |
抄録 |
(和) |
抵抗変化メモリ(resistive RAM: ReRAM)を用いたSTDPシナプスデバイスを提案する。提案デバイスは、バイポーラ型抵抗変化メモリ素子, キャパシタ, および二つのnMOS FETからなるCMOS-ReRAMハイブリッド回路である。試作デバイスを用いた実験により、i) 用いたバイポーラ型抵抗変化メモリ素子がメモリスタの数理モデルと質的に等価であること, ii) バイポーラ型抵抗変化メモリ素子とキャパシタからなるCR回路にスパイク電圧を与えた場合、スパイク前後でメモリ素子のコンダクタンスが変化しないこと, iii) 上記ii)のキャパシタの充放電過程において、キャパシタの電荷をリークさせることにより、スパイク前後でメモリ素子のコンダクタンスが増加すること, および、iv) 上記ii)とiii)により、スパイクタイミングに応じてコンダクタンスが変化するSTDPシナプスデバイスが構成可能であることを示す。 |
(英) |
We propose a STDP synaptic device that employs a resistive RAM (ReRAM). The device is a CMOS-ReRAM-hybrid circuit that consists of a bipolar ReRAM, a capacitor, and two nMOS FETs. Through extensive experimentals of our prototype device, we demonstrate that i) transient characteristics of our ReRAM are qualitatively equivalent to characteristics of a mathematical model of memristors, ii) conductance of the ReRAM does not change when one applies voltage spikes to a CR circuit consisting of the ReRAM and a capacitor, iii) when the capacitor is discharged via an additional current path during the charge and discharge process in ii) above, conductance of the ReRAM is certainly increased, and iv) by combining properties of ii) and iii) above, conductance of our STDP device is certainly modulated (increased or held) by the input spike timing. |
キーワード |
(和) |
ニューロデバイス / 抵抗変化メモリ(ReRAM) / メモリスタ / シナプス / STDP / / / |
(英) |
Neural device / resistive RAM (ReRAM) / memristor / synapse / STDP / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 246, NC2010-46, pp. 23-28, 2010年10月. |
資料番号 |
NC2010-46 |
発行日 |
2010-10-16 (NC) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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NC2010-46 |