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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-10-25 15:45 マスク描画用高輝度高エミッタンス電子銃の開発 ○椿 大輔・村田英一・六田英治・下山 宏（名城大）  ED2010-133 |
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| 抄録 | （和） | これまで、我々は、次世代の電子線露光装置用の電子銃の設計および開発を行ってきている。電子線露光装置では、高い電流密度の電子ビームが、試料の微小な領域を照射するために必要となる。その電子銃の性能は、輝度およびエミッタンスに拠る。電子ビームに収差が含まれていると、見かけ上のエミッタンスは増えるが、輝度は低下する。そのため、エミッタンスは、電子ビームのクロスオーバでの、収差の影響を無視できる領域の半径と発散角（半角）の積とした。本研究では、長寿命で、かつ、高輝度で高エミッタンスな電子銃の可能性をシミュレーションから探り、実際に設計および製作することを目的とする。今回は、境界電荷法の電子軌道計算より、最適な電子銃の電極形状について調べた。 |
| （英） | With the development of semiconductor technology, more sophisticated microfabrication technique is being required in each process of mask design, mask lithography and mask inspection. High brightness and high emittance electron gun has been strongly demanded in electron beam lithography. In an electron beam lithography equipment, high electron beam current density is required to irradiate the small area of a specimen, and the performance is determined by the brightness and emittance of the electron gun. From both perspectives of simulation and experiments, we examine the development of high brightness, high emittance and long-lived electron gun. | |
| キーワード | （和） | LaB6 / エミッタンス / 輝度 / エミッタンス・ダイアグラム / 境界電荷法 / ショットキー放出 / / |
| （英） | LaB6 / emittance / brightness / emittance diagram / boundary charge method / Schottky emission / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 249, ED2010-133, pp. 27-32, 2010年10月. | |
| 資料番号 | ED2010-133 | |
| 発行日 | 2010-10-18 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-133 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2010-10-25 - 2010-10-26 |
| 開催地（和） | 宇治おうばくプラザ(京都大学） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-10-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | マスク描画用高輝度高エミッタンス電子銃の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of high brightness, high-emittance electron gun. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | LaB6 / LaB6 |
| キーワード(2)（和/英） | エミッタンス / emittance |
| キーワード(3)（和/英） | 輝度 / brightness |
| キーワード(4)（和/英） | エミッタンス・ダイアグラム / emittance diagram |
| キーワード(5)（和/英） | 境界電荷法 / boundary charge method |
| キーワード(6)（和/英） | ショットキー放出 / Schottky emission |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 椿 大輔 / Daisuke Tsubaki / ツバキ ダイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村田 英一 / Hidekazu Murata / ムラタ ヒデカズ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 六田 英治 / Eiji Rokuta / ロクタ エイジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下山 宏 / Hiroshi Shimoyama / シモヤマ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-25 15:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-133 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.249 |
| ページ範囲 | pp.27-32 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-10-18 (ED) |
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