講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-10-25 13:25
三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性 ○後藤康仁・遠藤恵介・辻 博司(京大)・石川順三(中部大)・酒井滋樹(日新イオン機器) ED2010-129 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-129 |
抄録 |
(和) |
三フッ化メタンプラズマ処理を施したシリコン電界放出電子源の電子放出特性の経時変化の原因を調べる目的で、同じ処理を施したシリコン基板の表面状態の分析を行なった。電子源の放出電流の経時変化を模擬するために、試料を真空中で加熱し、その際の表面状態の変化を調べた。表面状態の評価としては、X線光電子分光法による原子間結合状態の評価、ケルビンプローブによる仕事関数の評価を行なった。その結果、プラズマ処理の初期に表面を被覆していたフッ化炭素の層からはフッ素の脱離が見られた。処理直後の仕事関数はシリコンの仕事関数よりも高くなったが、加熱に伴い仕事関数は低下した。この結果は、電子放出特性から導いた結果と定性的に合致する。 |
(英) |
Surface state of the silicon substrate treated by trifluoromethane plasma was analyzed in order to clarify the origin of the variation of electron emission property of silicon field emitter array treated by the same process. In order to simulate the emitting surface in long time operation, the samples were heated in vacuum. Evaluation of interatomic bonding was made by x-ray photoelectron spectroscopy, and evaluation of work function was made by Kelvin probe. As a result, it was found that fluorine atoms were lost from the fluorocarbon layer that covered the sample surface just after the plasma treatment. Work function of the plasma treated surface was higher than that of silicon, and it decreased after thermal treatment. The above result shows good agreement with the conclusion derived from the alanysis of field emission property. |
キーワード |
(和) |
シリコン電界放出電子源 / 表面状態 / 電子放出特性 / 三フッ化メタンプラズマ処理 / 仕事関数 / / / |
(英) |
silicon field emitter array / surface state / electron emission property / trifluoromethane plasma treatment / work function / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 249, ED2010-129, pp. 7-10, 2010年10月. |
資料番号 |
ED2010-129 |
発行日 |
2010-10-18 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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