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| 講演名 | 2010-10-26 09:55 窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイを用いた真空トランジスタの周波数特性 ○池田啓太・大上 航・後藤康仁・辻 博司（京大）  ED2010-137 |
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| 抄録 | （和） | フィールドエミッタアレイ（FEA）を用いた真空トランジスタの開発を行った。相互コンダクタンスの改善のため、約40,000-tipのゲート電極一体型窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイ（HfN-FEA）を作製し、その能動素子としての特性を評価した。真空トランジスタはこのゲート電極一体型HfN-FEAとコレクタ電極を合わせた三極管構造である。今回報告の真空トランジスタでは、引き出し電圧58 Vにおいて、コレクタ電流1.1 mA、相互コンダクタンスとして0.27 mS、コレクタ抵抗として2.8 MΩ、電圧増幅率として750の値を得た。また、実際に交流信号を入力した場合、100 kΩの負荷から電圧利得として29 dB、その周波数特性としては1 MHzのGB積を得た。また、等価回路からの計算により、理論的にはGB積として36 MHzの値が期待できることがわかった。 |
| （英） | Vacuum transistors using field emitter array have been developed for a signal amplifier. We fabricated a gated 40,000-tip hafnium nitride field emitter array (HfN-FEA) and evaluated HfN-FEA as an active device. The vacuum transistor had a triode structure with a gated HfN-FEA and a collector electrode. The device exhibited a collector current of 1.1 mA, transconductance of 0.27 mS, collector resistance of 2.8 MΩ, and voltage amplification factor of 750 at the applying emitter voltage of -58 V. The vacuum transistor amplified ac signal, and voltage gain of 29 dB was obtained with a load resistance of 100 kΩ. The gain bandwidth product of 1 MHz was obtained. From the estimation of the equivalent circuit, gain bandwidth product of 36 MHz is expected with the vacuum transistor. | |
| キーワード | （和） | 窒化ハフニウム / 電界放出電子源 / 増幅器 / 真空トランジスタ / 周波数特性 / / / |
| （英） | hafnium nitride / field emitter array / amplifier / vacuum transistor / frequency characteristics / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 249, ED2010-137, pp. 47-50, 2010年10月. | |
| 資料番号 | ED2010-137 | |
| 発行日 | 2010-10-18 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-137 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2010-10-25 - 2010-10-26 |
| 開催地（和） | 宇治おうばくプラザ(京都大学） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-10-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイを用いた真空トランジスタの周波数特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Frequency characteristics of Vacuum Transistor using Hafunium Nitride Field Emitter Array |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ハフニウム / hafnium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 電界放出電子源 / field emitter array |
| キーワード(3)（和/英） | 増幅器 / amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | 真空トランジスタ / vacuum transistor |
| キーワード(5)（和/英） | 周波数特性 / frequency characteristics |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 啓太 / Keita Ikeda / イケダ ケイタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学大学院 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大上 航 / Wataru Ohue / オオウエ ワタル |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学大学院 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 康仁 / Yasuhito Gotoh / ゴトウ ヤスヒト |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学大学院 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辻 博司 / Hiroshi Tsuji / ツジ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学大学院 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-26 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-137 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.249 |
| ページ範囲 | pp.47-50 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-10-18 (ED) |
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