講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-10-29 10:35
カルコパイライト型半導体AgGaSe2結晶の光学評価による物性解析 永岡 章・○吉野賢二(宮崎大) OCS2010-75 OPE2010-111 LQE2010-84 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2010-111 LQE2010-84 |
抄録 |
(和) |
三元系カルコパイライト型半導体は、多元系という特性のためSiやGeといった元素半導体では得られない有益な物性値を持っている。特に、AgGaSe2は、バンドギャップ1.8 eV、大きな非線形光学係数、赤外域での高い透過率、光吸収係数105 cm-1オーダーというオプトエレクトロニクスデバイス応用に必要な物性値を持つ。本研究では、半導体物性の重要な項目の一つである欠陥準位と基礎物性値の一つである抵抗値の評価を行った。 |
(英) |
Ternary chalcopyrite semiconductors have instructive properties that Si and Ge does not have, because of multi element-system. Especially, Because of band-gap energy 1.8 eV, large nonlinear coefficient, high infrared transition and large absorption coefficient 105 cm-1, AgGaSe2 is promised to optoelectronic applications. In this paper, defects level and resistivity, which is one of the important terms of semiconductor properties, were evaluated. |
キーワード |
(和) |
カルコパイライト型半導体 / ホットプレス法 / AgGaSe2 / フォトルミネッセンス(PL)測定 / / / / |
(英) |
Chalcopyrite semiconductor / Hot-press method / AgGaSe2 / Photoluminescence(PL) / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 258, OPE2010-111, pp. 117-120, 2010年10月. |
資料番号 |
OPE2010-111 |
発行日 |
2010-10-21 (OCS, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
OCS2010-75 OPE2010-111 LQE2010-84 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2010-111 LQE2010-84 |
研究会情報 |
研究会 |
LQE OPE OCS |
開催期間 |
2010-10-28 - 2010-10-29 |
開催地(和) |
門司港レトロ・港ハウス |
開催地(英) |
Mojiko Retro Town, Minato house |
テーマ(和) |
超高速伝送・変復調・分散補償技術、超高速光信号処理技術、広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス、高光出力伝送技術、一般 (ECOC報告) |
テーマ(英) |
Ultrafast transmission,signal processing/modulation-demodulation/wideband amplification,WDM technology/light emitting-receiving device/high power light delivery/etc(report on ECOC) |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
OPE |
会議コード |
2010-10-LQE-OPE-OCS |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
カルコパイライト型半導体AgGaSe2結晶の光学評価による物性解析 |
サブタイトル(和) |
|
タイトル(英) |
Properties analysis of chalcopyrite semiconductor AgGaSe2 by optical measurement |
サブタイトル(英) |
|
キーワード(1)(和/英) |
カルコパイライト型半導体 / Chalcopyrite semiconductor |
キーワード(2)(和/英) |
ホットプレス法 / Hot-press method |
キーワード(3)(和/英) |
AgGaSe2 / AgGaSe2 |
キーワード(4)(和/英) |
フォトルミネッセンス(PL)測定 / Photoluminescence(PL) |
キーワード(5)(和/英) |
/ |
キーワード(6)(和/英) |
/ |
キーワード(7)(和/英) |
/ |
キーワード(8)(和/英) |
/ |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
永岡 章 / Akira Nagaoka / ナガオカ アキラ |
第1著者 所属(和/英) |
宮崎大学 (略称: 宮崎大)
University of Miyazaki (略称: Univ of Miyazaki) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
吉野 賢二 / Kenji Yoshino / ヨシノ ケンジ |
第2著者 所属(和/英) |
宮崎大学 (略称: 宮崎大)
University of Miyazaki (略称: Univ of Miyazaki) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第3著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第4著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第5著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第6著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第7著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第8著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第9著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第10著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第11著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第12著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第13著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第14著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第15著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第16著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第17著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第18著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第19著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第20著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
講演者 |
第2著者 |
発表日時 |
2010-10-29 10:35:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
OPE |
資料番号 |
OCS2010-75, OPE2010-111, LQE2010-84 |
巻番号(vol) |
vol.110 |
号番号(no) |
no.257(OCS), no.258(OPE), no.259(LQE) |
ページ範囲 |
pp.117-120 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2010-10-21 (OCS, OPE, LQE) |
|