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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-11 16:25 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性 ○大井幸多（北大）・橋詰 保（北大/JST）  ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 |
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| 抄録 | （和） | ゲート電極直下のみに周期的トレンチ構造を形成した多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTを作製し，評価を行った．DC特性の結果から，実効ゲート幅がプレーナ型HEMTの半分程度であるにもかかわらず，線形特性の改善やgmの向上が確認された．また，MMC HEMTにおいて優れた電流安定性が得られた．さらに，電流コラプス評価を行ったところ，MMC HEMTはプレーナ型HEMTに比べて，電流コラプスの影響が小さかった．理由として，高インピーダンスチャネルを有するため相対的にアクセス抵抗が低く，アクセス領域の変化に対して影響が小さいことがあげられる． |
| （英） | We proposed and characterized a multi-mesa-channel (MMC) AlGaN/GaN HEMT. By forming a periodic trench, the MMC HEMT has parallel mesa-shaped channels with two-dimensional electron gas (2DEG) surrounded by the gate electrode. The MMC HEMT exhibited a steeper IDS-VDS curve in linear region and a higher transconductance than the planar HEMT, in spite of the fact that the effective gate width of the MMC device is about half of that for the planar device. The MMC HEMT shows excellent current stability in saturation region. From the result of current collapse measurement, the influence of current collapse was weak for the MMC structure because the MMC structure is rather insensitive to change in the access resistance due to high impedance channel. | |
| キーワード | （和） | GaN / AlGaN / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / 多重台形チャネル(MMC)構造 / / / / |
| （英） | GaN / AlGaN / High Eletron Mobility Transistor (HEMT) / Multi-Mesa-Channel (MMC) structure / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 271, ED2010-152, pp. 47-50, 2010年11月. | |
| 資料番号 | ED2010-152 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 阪大 中ノ島センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current control of AlGaN/GaN HEMT with multi-mesa nanochannels |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / High Eletron Mobility Transistor (HEMT) |
| キーワード(4)（和/英） | 多重台形チャネル(MMC)構造 / Multi-Mesa-Channel (MMC) structure |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大井 幸多 / Kota Ohi / オオイ コウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大/JST) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-11 16:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-152, CPM2010-118, LQE2010-108 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.47-50 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) |
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