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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-11 10:25 RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討 ○荒木 努・川島圭介・山口智広（立命館大）・名西やすし（立命館大/ソウル国立大）  ED2010-143 CPM2010-109 LQE2010-99 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 273, LQE2010-99, pp. 7-10, 2010年11月. | |
| 資料番号 | LQE2010-99 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-143 CPM2010-109 LQE2010-99 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 阪大 中ノ島センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on improved crystal quality of non-polar A-plane InN grown on r-plane sapphire by RF-MBE |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒木 努 / Tsutomu Araki / アラキ ツトム |
| 第1著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan University (略称： Ritsumeikan Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川島 圭介 / Keisuke Kawashima / カワシマ ケイスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan University (略称： Ritsumeikan Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 智広 / Tomohiro Yamaguchi / ヤマグチ トモヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大) Ritsumeikan University (略称： Ritsumeikan Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名西 やすし / Yasushi Nanishi / ナニシ ヤスシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 立命館大学 (略称： 立命館大/ソウル国立大) Ritsumeikan University (略称： Ritsumeikan Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-11 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2010-143, CPM2010-109, LQE2010-99 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) |
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