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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-11 14:30 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈 ○山口敦史（金沢工大）・小島一信（京大）  ED2010-148 CPM2010-114 LQE2010-104 |
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| 抄録 | （和） | 非極性InGaN量子井戸の偏光特性の実験データから材料パラメータを逆算的に求める解析手法を開発した。その手法に基づいてこれまでに様々な研究機関から報告されている実験データを実際に解析した。その結果、青色～緑色発光のInGaN量子井戸ではc面から30～40傾いた基板面方位の量子井戸において、負の偏光度（へき開面を共振器ミラーに用いるのに有利な偏光特性）が強く現れること、及び、この偏光特性がIn組成の高いInGaN量子井戸では、より高角の半極性基板上でも現れることが予測された。 |
| （英） | A new method to obtain material parameters inversely from measured polarization properties has been developed, and we analyzed actual experimental data previously reported from various research groups. From these analyses, it is predicted that negative polarization degree (favorable for LDs with cleaved facet cavity mirrors) will be enhanced in blue- or green-InGaN quantum wells on lower-angle (30-40 inclined from the c-plane) semipolar planes. Furthermore, it is also suggested that the polarized emission can appear even in higher-angle semipolar planes for InGaN quantum wells with high In composition. | |
| キーワード | （和） | InGaN量子井戸 / 非極性面 / 偏光特性 / 価電子帯 / 光学的異方性 / 半導体レーザ / / |
| （英） | InGaN quantum well / nonpolar / semipolar / polarization / valence band / optical anisotropy / laser diode / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 273, LQE2010-104, pp. 29-32, 2010年11月. | |
| 資料番号 | LQE2010-104 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-148 CPM2010-114 LQE2010-104 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 阪大 中ノ島センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Comprehensive Understanding of Previously-Reported Polarization Properties in Nonpolar and Semipolar InGaN Quantum Wells |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN量子井戸 / InGaN quantum well |
| キーワード(2)（和/英） | 非極性面 / nonpolar |
| キーワード(3)（和/英） | 偏光特性 / semipolar |
| キーワード(4)（和/英） | 価電子帯 / polarization |
| キーワード(5)（和/英） | 光学的異方性 / valence band |
| キーワード(6)（和/英） | 半導体レーザ / optical anisotropy |
| キーワード(7)（和/英） | / laser diode |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小島 一信 / Kazunobu Kojima / |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-11 14:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2010-148, CPM2010-114, LQE2010-104 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.29-32 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) |
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