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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-11 11:15 Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討 ○田辺 悟・西尾 礼・小林由貴・根本幸祐・宮本智之（東工大）  ED2010-145 CPM2010-111 LQE2010-101 |
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| 抄録 | （和） | 今回，MOCVD法を用いて，Si基板上へのGaNP層成長及びInAs系量子ドット成長の基礎特性の検討を行った．Si基板上でのGaNP層成長では3次元成長の抑制及び表面ラフネスの低減を目的に二段階成長，GaInPバッファ層成長を行った．またInAs量子ドットの形成特性把握のために，成長温度依存性，InAs供給量依存性，GaNPバッファ層の窒素組成依存性を検討した． |
| （英） | In this report, we investigate the basic property of the GaNP layer and the InAs-based quantum dots grown on Si substrate. In the GaNP layer growth on the Si substrate, two step growth method and strain GaInP buffer layer was introduced to suppress the 3D growth and decrease the surface roughness. Moreover, we investigated the the growth temperature dependency, the InAs supply dependency, and the nitrogen composition in the GaNP buffer layer dependency to clarify the InAs formation characteristic. | |
| キーワード | （和） | Si / GaNP / InAs / 量子ドット / 有機金属気相成長法 / / / |
| （英） | Si / GaNP / InAs / Quantum dots / MOCVD / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 273, LQE2010-101, pp. 15-19, 2010年11月. | |
| 資料番号 | LQE2010-101 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-145 CPM2010-111 LQE2010-101 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 阪大 中ノ島センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth characteristics of GaNP layer and InAs-based QDs on Si substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | GaNP / GaNP |
| キーワード(3)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(4)（和/英） | 量子ドット / Quantum dots |
| キーワード(5)（和/英） | 有機金属気相成長法 / MOCVD |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田辺 悟 / Satoru Tanabe / タナベ サトル |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西尾 礼 / Rei Nishio / ニシオ レイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 由貴 / Yoshitaka Kobayashi / コバヤシ ヨシタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 根本 幸祐 / Kosuke Nemoto / ネモト コウスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 智之 / Tomoyuki Miyamoto / ミヤモト トモユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-11 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2010-145, CPM2010-111, LQE2010-101 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.15-19 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) |
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