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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-11 15:20 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光 ○大音隆男・Ryan G. Banal（京大）・片岡 研（ウシオ電機）・船戸 充・川上養一（京大）  ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106 |
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| 抄録 | （和） | AlGaNを用いた深紫外発光ダイオードの外部量子効率は5%以下と非常に低いのが現状である．その物理的原因として，p型のホール密度が原理的に低いことなどが指摘されている．そこで，解決が困難なp型に起因する問題を回避し，高出力かつ高効率な深紫外発光を得るために，高品質な高Al組成AlGaN /AlN多重量子井戸の電子線励起を提案し，実証実験を行った．電子銃の条件と量子井戸構造を最適化することにより，波長約240 nmにおいて，最大100 mWの深紫外光出力と最大40%のパワー効率の達成に成功した． |
| （英） | The external quantum efficiencies of AlGaN-based deep ultraviolet light emitting diodes are less than 5%, due to the causes such as low hole concentration in p-type AlGaN. To avoid problems associated with p-type AlGaN and to obtain the deep ultraviolet emission with high power and efficiency, high-quality Al-rich AlGaN/AlN quantum wells were pumped by an electron beam. An output of 100 mW and a power efficiency of 40% have been achieved at a wavelength of about 240 nm by optimizing both the electron beam condition and the quantum well structure. | |
| キーワード | （和） | 電子線励起 / 深紫外光源 / AlGaN/AlN量子井戸 / / / / / |
| （英） | electron beam pumping / deep ultraviolet light source / AlGaN/AlN quantum well / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 273, LQE2010-106, pp. 37-40, 2010年11月. | |
| 資料番号 | LQE2010-106 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 阪大 中ノ島センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 100 mW Deep Ultraviolet Emission from AlGaN/AlN Quantum Wells by Electron Beam Pumping |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電子線励起 / electron beam pumping |
| キーワード(2)（和/英） | 深紫外光源 / deep ultraviolet light source |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaN/AlN量子井戸 / AlGaN/AlN quantum well |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大音 隆男 / Takao Oto / オオト タカオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Ryan G. Banal / Ryan G. Banal / ライアン バナル |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片岡 研 / Ken Kataoka / カタオカ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | ウシオ電機 (略称： ウシオ電機) Ushio Inc. (略称： Ushio Inc.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川上 養一 / Yoichi Kawakami / カワカミ ヨウイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto Univerisity (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-11 15:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2010-150, CPM2010-116, LQE2010-106 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) |
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