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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-12 10:00 GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価 ○堀 祐臣・原田脩央・水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST）  ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 |
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| 抄録 | （和） | GaNおよびAlGaN/GaN構造に対し、原子層堆積法で形成したAl2O3膜、および電気化学酸化法で形成した酸化膜による絶縁ゲート形成を行い、その界面特性、絶縁特性の評価を行った。Al2O3/n-GaN構造において、Al2O3膜堆積後の高温熱処理によりAl2O3層に微結晶化が生じ、結晶粒界を通じた漏れ電流が著しくなることを明らかにした。この対策として、SiN表面保護膜を用いた「オーミックファースト」プロセスを適用し、漏れ電流の抑制と低界面準位密度を実現した。また、AlGaN/GaN HEMT構造に対し電気化学酸化プロセスを適用することで埋め込み型MOSゲートHEMTを作製し、ゲートリーク電流の抑制とノーマリオフ動作を実現した。 |
| （英） | We investigated the interface and electrical properties of insulated gates fabricated on GaN and AlGaN/GaN structures using atomic layer deposited Al2O3 and electrochemical oxide films. The annealing process at 800 oC brought a large number of microcrystallization regions into the Al2O3 layer, causing a marked leakage in the current-voltage characteristics of the Al2O3/n-GaN structure. The “ohmic-first” process with a SiN protection layer suppressed leakage current and realized low electronic state densities at the Al2O3/n-GaN interface. The electrochemical oxidation process was applied to AlGaN/GaN HEMT structure. The formation of the recessed oxide gate structure realized a low gate leakage current and a normally-off operation. | |
| キーワード | （和） | AlGaN / GaN / Al2O3 / MOS / ノーマリオフ / / / |
| （英） | AlGaN / GaN / Al2O3 / MOS / normally-off / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 271, ED2010-154, pp. 55-58, 2010年11月. | |
| 資料番号 | ED2010-154 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 阪大 中ノ島センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of insulated gates on GaN and AlGaN/GaN structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(4)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(5)（和/英） | ノーマリオフ / normally-off |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀 祐臣 / Yujin Hori / ホリ ユウジン |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原田 脩央 / Naohisa Harada / ハラダ ナオヒサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水江 千帆子 / Chihoko Mizue / ミズエ チホコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大/JST) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-12 10:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-154, CPM2010-120, LQE2010-110 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.55-58 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) |
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