| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2010-11-26 09:55
両端開放λ/2マイクロストリップ共振器装荷Q帯薄型導波管BRF ○米田 諭・内田浩光・田中深雪・佐々木拓郎・湯川秀憲・平野嘉仁(三菱電機) MW2010-115 |
| 抄録 |
(和) |
中空導波管と導波管キャビティで構成する従来の導波管型帯域阻止フィルタ[1](BRF)よりも,薄型で簡易な構造を有する導波管BRFとして,SIW(Substrate Integrated Waveguide:ポスト壁導波路[2])共振器装荷導波管BRFを提案し,Q帯(47 GHz帯)において良好な帯域阻止特性が得られたことを先に報告した[3].しかし,SIW共振器を構成するには多数の貫通viaを必要とするため,SIW共振器部分の構造が複雑であり,また,貫通viaの製造誤差が比較的大きいという問題があった.これらの問題に対し,本稿では,貫通viaを用いない,より簡易な構造を有する薄型導波管BRFとして,両端開放λ/2マイクロストリップ共振器装荷薄型導波管BRFを提案し,その試作評価結果について報告する.アルミナ基板を用いた試作評価の結果,46.7-47 GHzにおいて比帯域約2 %(1 GHz)で50 dB以上の減衰量を有し,43.5-43.8 GHzにおいて約1.1 dBの通過損失を有する,ばらつきの少ない良好な帯域阻止特性が得られた. |
| (英) |
A waveguide BRF with SIW cavities has been reported as low-profile and easy to be fabricated compared with a conventional waveguide BRF, which employs resonant waveguide cavities outside the waveguide and needs costly machining processes. Though the BRF showed good band-rejection characteristics at 47 GHz, configuration of the BRF was still complicated because many via holes are required to fabricate SIW cavities. To improve the problem, a waveguide BRF with built-in open-ended λ/2 microstrip resonators is proposed as a via-less configuration. A Q-band prototype waveguide BRF is fabricated using alumina substrates. The measured results showed high attenuation more than 50 dB at 46.7-47 GHz in 2 % fractional bandwidth with insertion loss about 1.1 dB at 43.5-43.8 GHz. |
| キーワード |
(和) |
ミリ波 / Q帯 / 帯域阻止フィルタ / 導波管フィルタ / SIW / ポスト壁導波路 / マイクロストリップ共振器 / |
| (英) |
Millimeter-wave / Q-band / Band rejection filters / waveguide filters / SIW / Substrate integrated waveguide / microstrip resonators / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 307, MW2010-115, pp. 59-63, 2010年11月. |
| 資料番号 |
MW2010-115 |
| 発行日 |
2010-11-18 (MW) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
MW2010-115 |