| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2010-12-10 10:15
RFマグネトロンスパッタリング法によりGaAs(001)基板上に作製したFe(001)薄膜の磁気特性評価 ○和田祐也・池谷浩和・高橋 豊・稲葉信幸(山形大)・桐野文良(東京藝術大)・大竹 充・二本正昭(中大) MR2010-50 |
| 抄録 |
(和) |
RFマグネトロンスパッタリング法を用いてGaAs(001)基板上にFe(001)薄膜(膜厚 >= 6 nm)を成膜し,X線回折法(XRD)による結晶構造解析を行いFe薄膜がエピタキシャル成長していることを確認した.磁気特性は振動試料型磁力計(VSM)と強磁性共鳴法(FMR)による測定を行った.膜面平行に磁界を印加したVSM測定による磁化曲線はFe[100]方向が磁化容易方向,[110]方向が磁化困難方向であることを示しており,飽和磁化の値はbulk Feとほぼ同じ大きさを持つことが確認された.またFMRにより測定された面内磁気異方性は,bcc Feに対応する4回対称であり,FMRの共鳴線幅から求めたダンピング定数は極めて小さい値を示した. |
| (英) |
Fe thin films, down to 6 nm thick, were prepared on GaAs(001) substrates by RF magnetron sputtering. The x-ray diffraction (XRD) analyses show that the epitaxial thin films of Fe(001) were grown with cube-on-cube orientation on GaAs(001). Magnetic properties were investigated by vibrating sample magnetometry (VSM) and ferromagnetic resonance (FMR) spectroscopy. The magnetization curves obtained by applying in-plane magnetic fields indicate that easy (hard) direction is along [100] ([110]) and the saturation magnetization is close to the bulk values. The in-plane magnetic anisotropy measured by FMR shows four-fold symmetry, as expected for bcc Fe. The Gilbert damping coefficient, derived from the experimental linewidths of FMR, is small and independent of the direction of applied field. |
| キーワード |
(和) |
Fe薄膜 / GaAs / RFマグネトロンスパッタ / 強磁性共鳴 / ダンピング定数 / / / |
| (英) |
Fe thin films / GaAs / RF magnetron sputtering / Ferromagnetic Resonance / Damping constants / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 110, 2010年12月. |
| 資料番号 |
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| 発行日 |
2010-12-02 (MR) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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MR2010-50 |