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講演抄録/キーワード
講演名 2010-12-10 10:15
RFマグネトロンスパッタリング法によりGaAs(001)基板上に作製したFe(001)薄膜の磁気特性評価
和田祐也池谷浩和高橋 豊稲葉信幸山形大)・桐野文良東京藝術大)・大竹 充二本正昭中大MR2010-50
抄録 (和) RFマグネトロンスパッタリング法を用いてGaAs(001)基板上にFe(001)薄膜(膜厚 >= 6 nm)を成膜し,X線回折法(XRD)による結晶構造解析を行いFe薄膜がエピタキシャル成長していることを確認した.磁気特性は振動試料型磁力計(VSM)と強磁性共鳴法(FMR)による測定を行った.膜面平行に磁界を印加したVSM測定による磁化曲線はFe[100]方向が磁化容易方向,[110]方向が磁化困難方向であることを示しており,飽和磁化の値はbulk Feとほぼ同じ大きさを持つことが確認された.またFMRにより測定された面内磁気異方性は,bcc Feに対応する4回対称であり,FMRの共鳴線幅から求めたダンピング定数は極めて小さい値を示した. 
(英) Fe thin films, down to 6 nm thick, were prepared on GaAs(001) substrates by RF magnetron sputtering. The x-ray diffraction (XRD) analyses show that the epitaxial thin films of Fe(001) were grown with cube-on-cube orientation on GaAs(001). Magnetic properties were investigated by vibrating sample magnetometry (VSM) and ferromagnetic resonance (FMR) spectroscopy. The magnetization curves obtained by applying in-plane magnetic fields indicate that easy (hard) direction is along [100] ([110]) and the saturation magnetization is close to the bulk values. The in-plane magnetic anisotropy measured by FMR shows four-fold symmetry, as expected for bcc Fe. The Gilbert damping coefficient, derived from the experimental linewidths of FMR, is small and independent of the direction of applied field.
キーワード (和) Fe薄膜 / GaAs / RFマグネトロンスパッタ / 強磁性共鳴 / ダンピング定数 / / /  
(英) Fe thin films / GaAs / RF magnetron sputtering / Ferromagnetic Resonance / Damping constants / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, 2010年12月.
資料番号  
発行日 2010-12-02 (MR) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MR2010-50

研究会情報
研究会 ITE-MMS MRIS  
開催期間 2010-12-09 - 2010-12-10 
開催地(和) 愛媛大学 総合メディアセンター 
開催地(英) Ehime Univ. 
テーマ(和) 信号処理および一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2010-12-MMS-MR 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) RFマグネトロンスパッタリング法によりGaAs(001)基板上に作製したFe(001)薄膜の磁気特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Crystal Structures and Magnetic Properties of Fe(001) Thin Films on GaAs(001) Deposited by RF Magnetron Sputtering 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Fe薄膜 / Fe thin films  
キーワード(2)(和/英) GaAs / GaAs  
キーワード(3)(和/英) RFマグネトロンスパッタ / RF magnetron sputtering  
キーワード(4)(和/英) 強磁性共鳴 / Ferromagnetic Resonance  
キーワード(5)(和/英) ダンピング定数 / Damping constants  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 和田 祐也 / Yuya Wada / ワダ ユウヤ
第1著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 池谷 浩和 / Hirokazu Ikeya /
第2著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 豊 / Yutaka Takahashi / タカハシ ユタカ
第3著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 稲葉 信幸 / Nobuyuki Inaba /
第4著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 桐野 文良 / Fumiyoshi Kirino / キリノ フミヨシ
第5著者 所属(和/英) 東京藝術大学 (略称: 東京藝術大)
Tokyo National University of Fine Arts and Music (略称: Tokyo National University of Fine Arts and Music)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 大竹 充 / Mitsuru Ohtake /
第6著者 所属(和/英) 中央大 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 二本 正昭 / Masaaki Futamoto / フタモト マサアキ
第7著者 所属(和/英) 中央大 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-12-10 10:15:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 MR2010-50 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.329 
ページ範囲 pp.59-63 
ページ数
発行日 2010-12-02 (MR) 


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