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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-10 14:30 多レベルセルフラッシュメモリのための1レベル誤り訂正符号 ○佐藤和也・北神正人（千葉大）  DC2010-53 |
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| 抄録 | （和） | フラッシュメモリは，高速ランダムアクセス，低消費電力，耐衝撃性に優れる点などから様々な用途に用いられている．近年では，フラッシュメモリの高密度化のため，1セルに多値のデータを保持することができる多レベルセル(MLC)が使用されている．MLCは電荷のわずかなずれで，近傍のレベルに変動してしまう問題があり，中でも1レベルの変動が極めて多くなっている．そこで本研究では，MLCフラッシュメモリの効率的な符号化を目的として，1レベル誤りを訂正する符号を提案する．提案手法では，非対称誤りを効率的に訂正するため，Gray符号の特性を利用している．提案手法について符号長の評価を行い，従来手法より大きな情報長が得られることが示された． |
| （英） | Flash memories are used in many ways, because of the features of fast random access speed, power consumption, and resistance to physical shocks. In recent years, multilevel cell (MLC) flash memories that store multiple data bits in a memory cell are introduced for the high density integration. In MLC flash memories, the level of charge is apt to change to neighboring level by charge fluctuations. Especially, 1 level fluctuations are apt to occur extremely frequently. This paper proposes 1 level error correcting code suitable for MLC flash memories in order to control errors efficiently. The proposed method utilizes an asymmetric error locating code and a mapping derived from Gray codes. Evaluation shows that the code length of the proposed code is larger than that of conventional codes. | |
| キーワード | （和） | フラッシュメモリ / 多レベルセル / 非対称誤り / Gray符号 / / / / |
| （英） | flash memory / multilevel cell / asymmetric error / Gray code / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 333, DC2010-53, pp. 9-14, 2010年12月. | |
| 資料番号 | DC2010-53 | |
| 発行日 | 2010-12-03 (DC) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | DC2010-53 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | DC |
| 開催期間 | 2010-12-10 - 2010-12-10 |
| 開催地（和） | 国際ファミリープラザ（米子） |
| 開催地（英） | International Family Plaza (Yonago) |
| テーマ（和） | 安全性および一般 |
| テーマ（英） | Safety, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | DC |
| 会議コード | 2010-12-DC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 多レベルセルフラッシュメモリのための1レベル誤り訂正符号 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A class of 1 level error correcting code for multilevel cell flash memories |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュメモリ / flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | 多レベルセル / multilevel cell |
| キーワード(3)（和/英） | 非対称誤り / asymmetric error |
| キーワード(4)（和/英） | Gray符号 / Gray code |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 和也 / Kazuya Sato / サトウ カズヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北神 正人 / Masato Kitakami / キタカミ マサト |
| 第2著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-10 14:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | DC |
| 資料番号 | DC2010-53 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.333 |
| ページ範囲 | pp.9-14 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-12-03 (DC) |
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