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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 17:30 BCB貼付によるSi基板上GaInAsP細線導波路特性 ○前田泰奈・李 智恩・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久（東工大）  OPE2010-141 |
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| 抄録 | （和） | LSIの性能律速となりつつあるLSI内電気グローバル配線を代替するために極低消費電力かつ小型な光配線への期待が高まっている。我々はその要求に対し、配線に厚さ150 nm程度のIII-V族半導体を低屈折率材料で挟んだメンブレン構造を持つ細線導波路を提案してきた。これまでに無気胞BCB貼付技術を確立し、その技術を用いて2インチSi基板・GaInAsP/InP基板の無気泡貼付に成功した。このBCB貼付を用いてSi基板上に厚さ150 nm、導波路幅460 nmのGaInAsP細線導波路を実現し、TEモード伝搬損失17 dB/cmを得た。 |
| （英） | To overcome LSI performance limitation due to the global electrical wiring of LSIs, the realization of the ultra-low-power consumption and compact photonic integrated circuits on LSI are expected. We have proposed membrane structure with 150 nm thick III-V semiconductor wire for the waveguides which is sandwiched between low refractive index materials for this purpose. We have established BCB bonding techniques and succeeded in a bonding of 2 inch diameter Si and GaInAsP/InP wafers without air voids. By using this BCB bonding technique, the TE mode propagation loss of 17 dB/cm was obtained with 150-nm thick and 460-nm-wide GaInAsP/InP waveguides bonded on Si substrates. | |
| キーワード | （和） | BCB貼付 / GaInAsP細線導波路 / 強光閉じ込め / Siフォトニクス / / / / |
| （英） | BCB Bonding / GaInAsP wired waveguide / High optical confinement / Si Photonics / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 352, OPE2010-141, pp. 55-60, 2010年12月. | |
| 資料番号 | OPE2010-141 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (OPE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2010-141 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下3階2号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 光パッシブコンポネント（フィルタ，コネクタ，MEMS）、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2010-12-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | BCB貼付によるSi基板上GaInAsP細線導波路特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The characteristics of GaInAsP wired waveguide on Si substrate with BCB bonding |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | BCB貼付 / BCB Bonding |
| キーワード(2)（和/英） | GaInAsP細線導波路 / GaInAsP wired waveguide |
| キーワード(3)（和/英） | 強光閉じ込め / High optical confinement |
| キーワード(4)（和/英） | Siフォトニクス / Si Photonics |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 泰奈 / Yasuna Maeda / マエダ ヤスナ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 李 智恩 / Jieun Lee / リ ジウン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渥美 裕樹 / Yuki Atsumi / アツミ ユウキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 17:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OPE2010-141 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.352 |
| ページ範囲 | pp.55-60 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-12-10 (OPE) |
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