講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-12-17 17:55
キャリア注入型シリコンVOAと石英系AWGのモノリシック集積 ○西 英隆・土澤 泰・渡辺俊文・篠島弘幸・高 磊・朴 成鳳・山田浩治・板橋聖一(NTT) OPE2010-142 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2010-142 |
抄録 |
(和) |
Si細線光導波路にPINダイオード構造を付与したVOAと,石英系光導波路によるAWGを,スポットサイズ変換器を介して接続し,さらにそれらをモノリシック集積したデバイスについて報告する.ECRプラズマCVD法を用いることで,低温での石英系光導波路の作製を実現し,作製した集積デバイスが入力光を200 GHz間隔で16チャネルに分波し,さらにSi--VOAの各チャネルにおいて50 MHzの3 dB 減衰帯域が得られ,高速光減衰動作することを確認した. |
(英) |
We demonstrate the monolithic integration of Si--VOAs and a silica-based AWG filter by connecting them with spot-size converters. The Si--VOA is based on a rib-type Si wire waveguide with a PIN lateral diode structure. The integrated device performs wavelength demultiplexing in 16 channels and has fast optical power attenuation with a -3 dB bandwidth of 50 MHz in each channel. |
キーワード |
(和) |
シリコンフォトニクス / VOA / AWG / モノリシック集積 / / / / |
(英) |
silicon photonics / VOA / AWG / monolithic integration / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 352, OPE2010-142, pp. 61-64, 2010年12月. |
資料番号 |
OPE2010-142 |
発行日 |
2010-12-10 (OPE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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