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講演抄録/キーワード
講演名 2010-12-17 17:55
キャリア注入型シリコンVOAと石英系AWGのモノリシック集積
西 英隆土澤 泰渡辺俊文篠島弘幸高 磊朴 成鳳山田浩治板橋聖一NTTOPE2010-142 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2010-142
抄録 (和) Si細線光導波路にPINダイオード構造を付与したVOAと,石英系光導波路によるAWGを,スポットサイズ変換器を介して接続し,さらにそれらをモノリシック集積したデバイスについて報告する.ECRプラズマCVD法を用いることで,低温での石英系光導波路の作製を実現し,作製した集積デバイスが入力光を200 GHz間隔で16チャネルに分波し,さらにSi--VOAの各チャネルにおいて50 MHzの3 dB 減衰帯域が得られ,高速光減衰動作することを確認した. 
(英) We demonstrate the monolithic integration of Si--VOAs and a silica-based AWG filter by connecting them with spot-size converters. The Si--VOA is based on a rib-type Si wire waveguide with a PIN lateral diode structure. The integrated device performs wavelength demultiplexing in 16 channels and has fast optical power attenuation with a -3 dB bandwidth of 50 MHz in each channel.
キーワード (和) シリコンフォトニクス / VOA / AWG / モノリシック集積 / / / /  
(英) silicon photonics / VOA / AWG / monolithic integration / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 352, OPE2010-142, pp. 61-64, 2010年12月.
資料番号 OPE2010-142 
発行日 2010-12-10 (OPE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OPE2010-142 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2010-142

研究会情報
研究会 OPE  
開催期間 2010-12-17 - 2010-12-17 
開催地(和) 機械振興会館地下3階2号室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OPE 
会議コード 2010-12-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) キャリア注入型シリコンVOAと石英系AWGのモノリシック集積 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Monolithic Integration of Silicon Variable Optical Attenuators Based on PIN Carrier-Injection Structure and a Silica-Based Arrayed Waveguide Grating Filter 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンフォトニクス / silicon photonics  
キーワード(2)(和/英) VOA / VOA  
キーワード(3)(和/英) AWG / AWG  
キーワード(4)(和/英) モノリシック集積 / monolithic integration  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 西 英隆 / Hidetaka Nishi / ニシ ヒデタカ
第1著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 土澤 泰 / Tai Tsuchizawa / ツチザワ タイ
第2著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 俊文 / Toshifumi Watanabe / ワタナベ トシフミ
第3著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠島 弘幸 / Hiroyuki Shinojima / シノジマ ヒロユキ
第4著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高 磊 / Rai Kou / タカハシ ライ
第5著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
NTT (略称: NTT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 朴 成鳳 / Sungbong Park / パク ソンボン
第6著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 浩治 / Koji Yamada / ヤマダ コウジ
第7著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 板橋 聖一 / Seiichi Itabashi / イタバシ セイイチ
第8著者 所属(和/英) NTT (略称: NTT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-12-17 17:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OPE 
資料番号 OPE2010-142 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.352 
ページ範囲 pp.61-64 
ページ数
発行日 2010-12-10 (OPE) 


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