| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 13:10 ［奨励講演］低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）  LQE2010-120 エレソ技報アーカイブへのリンク：LQE2010-120 |
|
| 抄録 | （和） | 近年のデータ流通量の急激な増加に伴い，通信用光源のさらなる高速化への期待が高まっている．我々は、低消費電力な超高速直接変調レーザの実現に向けて，AlGaInAs歪量子井戸高抵抗埋め込み型レーザの高速化・低駆動電流化に取り組んでいる．今回，短DFB 活性領域の前後にDBRミラーを集積したDistributed Reflector (DR)レーザを波長1.55 µm帯と波長1.3 µm帯で作製し，緩和振動周波数(fr)の高い電流効率，および低駆動電流での40Gbps直接変調動作を実現したので報告する． |
| （英） | Because of recent significant increase of data traffic, much attention has been paid to high-speed optical transmitters. In order to realize high-speed directly modulated lasers with low driving current, we have investigated AlGaInAs-based multiple-quantum-well (MQW) lasers combined with semi-insulating buried-heterostructure (SI-BH). In this paper, we report 1.55-μm and 1.3-μm AlGaInAs-MQW SI-BH distributed reflector (DR) lasers with passive reflectors on both sides of very short active region. We successfully achieved very high slope values of relaxation oscillation frequency and realized 40-Gbps direct modulation with low driving-current. |
|
| キーワード | （和） | 波長1.3 µm / 波長1.55 µm / AlGaInAs歪量子井戸 / 高抵抗埋め込み / 直接変調レーザ / 40Gbps / 緩和振動周波数 / |
| （英） | 1.3-µm / 1.55-µm / AlGaInAs multiple-quantum-well / semi-insulating buried-heterostructure / directly-modulated lasers / 40-Gbps / relaxation oscillation frequency / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 353, LQE2010-120, pp. 27-32, 2010年12月. | |
| 資料番号 | LQE2010-120 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2010-120 エレソ技報アーカイブへのリンク：LQE2010-120 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaInAs semi-insulating buried-heterostructure (SI-BH) distributed-reflector (DR) lasers for low-driving-current 40-Gbps direct modulation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 波長1.3 µm / 1.3-µm |
| キーワード(2)（和/英） | 波長1.55 µm / 1.55-µm |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaInAs歪量子井戸 / AlGaInAs multiple-quantum-well |
| キーワード(4)（和/英） | 高抵抗埋め込み / semi-insulating buried-heterostructure |
| キーワード(5)（和/英） | 直接変調レーザ / directly-modulated lasers |
| キーワード(6)（和/英） | 40Gbps / 40-Gbps |
| キーワード(7)（和/英） | 緩和振動周波数 / relaxation oscillation frequency |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 植竹 理人 / Ayahito Uetake / ウエタケ アヤヒト |
| 第1著者 所属（和/英） | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所/富士通株式会社/株式会社富士通研究所 (略称： 光電子融合基盤技研/富士通/富士通研) Photonics Electronics Technology Research Association/Fujitsu Ltd./Fujitsu laboratories Ltd. (略称： PETRA/Fujitsu/Fujitsu labs.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大坪 孝二 / Koji Otsubo / オオツボ コウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所/富士通株式会社/株式会社富士通研究所 (略称： 光電子融合基盤技研/富士通/富士通研) Photonics Electronics Technology Research Association/Fujitsu Ltd./Fujitsu laboratories Ltd. (略称： PETRA/Fujitsu/Fujitsu labs.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 学 / Manabu Matsuda / マツダ マナブ |
| 第3著者 所属（和/英） | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所/富士通株式会社/株式会社富士通研究所 (略称： 光電子融合基盤技研/富士通/富士通研) Photonics Electronics Technology Research Association/Fujitsu Ltd./Fujitsu laboratories Ltd. (略称： PETRA/Fujitsu/Fujitsu labs.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥村 滋一 / Shigekazu Okumura / オクムラ シゲカズ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu laboratories Ltd. (略称： Fujitsu labs.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 満 / Mitsuru Ekawa / エカワ ミツル |
| 第5著者 所属（和/英） | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所/富士通株式会社/株式会社富士通研究所 (略称： 光電子融合基盤技研/富士通/富士通研) Photonics Electronics Technology Research Association/Fujitsu Ltd./Fujitsu laboratories Ltd. (略称： PETRA/Fujitsu/Fujitsu labs.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 剛之 / Tsuyoshi Yamamoto / ヤマモト ツヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所/富士通株式会社/株式会社富士通研究所 (略称： 光電子融合基盤技研/富士通/富士通研) Photonics Electronics Technology Research Association/Fujitsu Ltd./Fujitsu laboratories Ltd. (略称： PETRA/Fujitsu/Fujitsu labs.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 13:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2010-120 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.353 |
| ページ範囲 | pp.27-32 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-12-10 (LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]