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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 10:20 エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ ○畑中輝義・矢島亮児・野田晋司（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大）  ICD2010-118 |
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| 抄録 | （和） | 低書き込み/消去電圧(6V)と高書き換え耐久性(1億回)を持つFe-NANDフラッシュメモリについて、高信頼性化技術を提案する。Zero Vth Fe-NANDフラッシュメモリセルを用いることで、データ保持、リードディスターブおよびプログラムディスターブによるしきい値電圧シフトを低減することができる。また、消去動作時のしきい値電圧シフトが一定となり、ビット毎ベリファイと組み合わせることで、しきい値電圧分布の制御に有効な負電圧ステップダウンパルス消去法を提案する。さらに、不揮発性ページバッファとバッチライトアルゴリズムの提案・導入により、電源遮断時のデータの信頼性を補償し、SSDのランダム書き込み速度向上の可能性を示す。 |
| （英） | This paper proposes the techniques for highly reliable ferroelectric(Fe)-NAND flash memory. Fe-NAND has the low program/erase voltage (6V) and high endurance (108 cycles) characteristics. A zero Vth Fe-NAND cell reduces the Vth shift due to the data retention, read disturb, and program disturb. A negatively-incremental erase pulse scheme is proposed for the Fe-NAND cell. By combining the proposed negatively-incremental erase scheme with the bit-by-bit verify, a narrow erase Vth distribution is achieved. A Fe-NAND flash memory with a non-volatile page buffer and a batch write algorithm is proposed. The SSD random write speed is improved with the power outage immune highly reliable operation. | |
| キーワード | （和） | SSD / NAND / Flash / Ferroelectric / / / / |
| （英） | SSD / NAND / Flash / Ferroelectric / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 344, ICD2010-118, pp. 113-118, 2010年12月. | |
| 資料番号 | ICD2010-118 | |
| 発行日 | 2010-12-09 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2010-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2010-12-16 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 東京大学 先端科学技術研究センター |
| 開催地（英） | RCAST, Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | Workshop for Graduate Student and Young Researchers |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2010-12-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Power and Highly Reliable Ferroelectric (Fe)-NAND Flash Memory for Enterprise SSD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SSD / SSD |
| キーワード(2)（和/英） | NAND / NAND |
| キーワード(3)（和/英） | Flash / Flash |
| キーワード(4)（和/英） | Ferroelectric / Ferroelectric |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑中 輝義 / Teruyoshi Hatanaka / ハタナカ テルヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢島 亮児 / Ryoji Yajima / ヤジマ リョウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野田 晋司 / Shinji Noda / ノダ シンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 光恵 / Mitsue Takahashi / タカハシ ミツエ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 滋樹 / Shigeki Sakai / サカイ シゲキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2010-118 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.344 |
| ページ範囲 | pp.113-118 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-12-09 (ICD) |
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