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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 10:55 Development of Procedure for Modeling MOSFET Compatible with ITRS -- Noise and I-V Characteristics Modeling for RF/Analog MOSFET -- ○Sin-Nyoung Kim・Akira Tsuchiya・Hidetoshi Onodera（Kyoto Univ.）  ICD2010-119 |
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| 抄録 | （和） | A procedure for modeling MOSFET compatible with ITRS is proposed. Compared to the PTM, this work focuses on how to generate the predictive MOSFET model cards. Achieving the predictive MOSFET model cards from digital to RF/analog circuit design, this procedure facilitates early design research and supports joint technology-design exploration for optimal nanoscale integration. |
| （英） | A procedure for modeling MOSFET compatible with ITRS is proposed. Compared to the PTM, this work focuses on how to generate the predictive MOSFET model cards. Achieving the predictive MOSFET model cards from digital to RF/analog circuit design, this procedure facilitates early design research and supports joint technology-design exploration for optimal nanoscale integration. |
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| キーワード | （和） | Predictive model / Procedure for modeling / Model card generation / RF/analog MOSFET / Intermediate model / Compatibility with ITRS / Prediction of noise / |
| （英） | Predictive model / Procedure for modeling / Model card generation / RF/analog MOSFET / Intermediate model / Compatibility with ITRS / Prediction of noise / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 344, ICD2010-119, pp. 119-123, 2010年12月. | |
| 資料番号 | ICD2010-119 | |
| 発行日 | 2010-12-09 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2010-119 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2010-12-16 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 東京大学 先端科学技術研究センター |
| 開催地（英） | RCAST, Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | Workshop for Graduate Student and Young Researchers |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2010-12-ICD |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Procedure for Modeling MOSFET Compatible with ITRS |
| サブタイトル（英） | Noise and I-V Characteristics Modeling for RF/Analog MOSFET |
| キーワード(1)（和/英） | Predictive model / Predictive model |
| キーワード(2)（和/英） | Procedure for modeling / Procedure for modeling |
| キーワード(3)（和/英） | Model card generation / Model card generation |
| キーワード(4)（和/英） | RF/analog MOSFET / RF/analog MOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | Intermediate model / Intermediate model |
| キーワード(6)（和/英） | Compatibility with ITRS / Compatibility with ITRS |
| キーワード(7)（和/英） | Prediction of noise / Prediction of noise |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金 信寧 / Sin-Nyoung Kim / キム シンニュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土谷 亮 / Akira Tsuchiya / ツチヤ アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野寺 秀俊 / Hidetoshi Onodera / オノデラ ヒデトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2010-119 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.344 |
| ページ範囲 | pp.119-123 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-12-09 (ICD) |
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