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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 10:00 MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ ○吉岡裕典・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大）  SDM2010-185 |
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| 抄録 | （和） | 18 nmから4 nmの断面サイズ（断面積の平方根）の<100>SiナノワイヤMOSFETを作製し、電気的特性を評価した。nチャネル、pチャネルMOSFET共に理想値に近いS値63 mV/decadeが得られた。nチャネル／pチャネルMOSFETのしきい値電圧は断面サイズの減少にしたがい、徐々に増加／減少した。このしきい値電圧の変化からバンドギャップの変化量を算出した。また、密度汎関数法、強束縛近似法、有効質量近似からバンドギャップの変化量を計算した。計算されたバンドギャップ変化量はしきい値電圧の変化から求めたものと良い一致を示した。さらに理論計算によって、Siナノワイヤのバンドギャップは断面サイズには敏感であるが、断面形状にはあまり敏感ではないことを見出した。 |
| （英） | Thin <100> Si-nanowire (Si-NW) MOSFETs were fabricated to characterize the quantum confinement effect in Si NWs. The cross-sectional size, defined by the square root of the cross-sectional area of Si NWs, was changed from 18 nm to 4 nm. Both n- and p-channel MOSFETs have shown a nearly ideal subthreshold swing of 63 mV/decade. The threshold voltage of n-/p-channel MOSFETs has gradually increased/decreased with decreasing the cross-sectional size. The bandgap change has been derived from the threshold-voltage shift. The bandgap of Si NWs was calculated based on three theories: a density functional theory, tight binding method, and effective mass approximation. The calculated bandgaps show good agreement with those derived from threshold voltage. The theoretical calculation indicates that the bandgap is dominated by the cross-sectional size (area) and is not very sensitive to the shape within the aspect-ratio range of 1.0 to 2.5. | |
| キーワード | （和） | バンドギャップ / シリコン / ナノワイヤ / しきい値電圧 / MOSFET / 密度汎関数法 / 強束縛近似法 / 有効質量近似 |
| （英） | Bandgap / Silicon / Nanowire / Threshold voltage / MOSFET / Density functional theory / Tight binding method / Effective mass approximation | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-185, pp. 1-6, 2010年12月. | |
| 資料番号 | SDM2010-185 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-185 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Bandgap of <100> Si Nanowires Derived from Threshold Voltage of MOSFETs and Theoritical Calculations |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | バンドギャップ / Bandgap |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(3)（和/英） | ナノワイヤ / Nanowire |
| キーワード(4)（和/英） | しきい値電圧 / Threshold voltage |
| キーワード(5)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(6)（和/英） | 密度汎関数法 / Density functional theory |
| キーワード(7)（和/英） | 強束縛近似法 / Tight binding method |
| キーワード(8)（和/英） | 有効質量近似 / Effective mass approximation |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉岡 裕典 / Hironori Yoshioka / ヨシオカ ヒロノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森岡 直也 / Naoya Morioka / モリオカ ナオヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 10:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-185 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) |
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