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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 16:45 Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究 ○高城祥吾・松尾直人・山名一成・部家 彰・高田忠雄（兵庫県立大）・坂本憲児・横山 新（広島大）  SDM2010-201 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では，Si基板を用いて100nm程度のギャップを持つ電極を作製し，電極間に固定されたDNAの伝導特性，及び，n-Si基板をゲート電極とした3端子トランジスタ特性について調べる．その結果，DNA両端を固定した電極をもつ試料のみで伝導を確認した．この伝導は電極間に固定化されたDNA本体を流れるキャリアが担っていると考えられるが，バンド伝導であるかホッピング伝導であるかは不明である．又，トランジスタ特性に関しては，ゲート電圧の負方向への増加に従い，電流値が増加する事からホール伝導である事が確認され，又，電流飽和が観測された事から，５極管特性の傾向が見られた．ホールの起源は，n-Si電極からの少数キャリヤであるホール注入と考えられる．DNAトランジスタに関して，ゲート電圧による電流値制御が可能であることが初めて明らかとなった． |
| （英） | The conduction of DNA molecules which are fixed to neighboring Si electrodes and the electrical properties of DNA transistor with three terminals, one of which is n- Si substrate as gate electrode, are examined. The carrier conduction in the DNA molecules is confirmed only for the sample where the both ends of DNA are fixed to the neighboring Si electrodes. Although it is not clear that the conduction mechanism is either the band conduction or hopping conduction, the conduction is due to the carrier flowing through the DNA. For the electrical properties of the transistor, it was found that hole conduction occurs and the current saturation with applied voltage to the neighboring Si electrodes is observed under the constant gate voltage. The origin of the hole is the minority carrier in n- Si electrode. For the DNA transistor, the control of the drain currents by the gate voltage is successfully achieved for the first time. | |
| キーワード | （和） | DNA / トランジスタ / Si / ホール伝導 / / / / |
| （英） | DNA / Transistor / Si / hole conduction / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-201, pp. 87-91, 2010年12月. | |
| 資料番号 | SDM2010-201 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-201 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study for DNA-Field Effect Transistor with Si gate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | DNA / DNA |
| キーワード(2)（和/英） | トランジスタ / Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(4)（和/英） | ホール伝導 / hole conduction |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高城 祥吾 / Shogo Takagi / タカギ ショウゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ of Hyogo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 直人 / Naoto Matsuo / マツオ ナオト |
| 第2著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ of Hyogo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山名 一成 / Kazushige Yamana / ヤマナ カズシゲ |
| 第3著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ of Hyogo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 部家 彰 / Akira Heya / ヘヤ アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ of Hyogo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高田 忠雄 / Tadao Takada / タカダ タダオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ of Hyogo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂本 憲児 / Kenji Sakamoto / サカモト ケンジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 新 / Shin Yokoyama / ヨコヤマ シン |
| 第7著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 16:45:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-201 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.87-91 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) |
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