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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 17:25 高圧水蒸気熱処理によるa-In2Ga2Zn1O7 TFTの特性改善効果 ○丸山智己・藤井茉美（奈良先端大）・笠見雅司・矢野公規（出光興産）・堀田昌宏・石河泰明（奈良先端大）・浦岡行治（奈良先端大/JST）  SDM2010-203 |
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| 抄録 | （和） | 非晶質酸化物半導体(a-IGZO)は，透明フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)を実現する上で，有用な材料である．a-IGZO TFTの特性改善には，ポストアニール処理が有効である．本研究では，高圧水蒸気雰囲気下においてポストアニール処理を行い，特性改善を検討した．その結果，SiO2/IGZO界面の改善による欠陥の減少が示唆され，大気圧下での乾燥熱処理に比べてTFT特性が改善されることがわかった． |
| （英） | Amorphous oxide semiconductor(a-IGZO) is useful materials to realize transparent flexible Thin Film Transistor (TFT). Post- anneal treatment is effective for improvement of a-IGZO TFT characteristics. In this paper, we investigated the effect of a high pressure vapor anneal treatment on the characteristics of a-IGZO TFT. As a result, TFT characteristics were improved remarkably in comparison with dry anneal treatment under the atmospheric pressure. | |
| キーワード | （和） | InGaZnO / 薄膜トランジスタ / 酸化物半導体 / / / / / |
| （英） | InGaZnO / Thin Film Transistor / oxide semiconductor / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-203, pp. 99-102, 2010年12月. | |
| 資料番号 | SDM2010-203 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-203 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高圧水蒸気熱処理によるa-In2Ga2Zn1O7 TFTの特性改善効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of high pressure vapor anneal treatment on the a-In2Ga2Zn1O7 TFTs characteristics |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaZnO / InGaZnO |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin Film Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化物半導体 / oxide semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸山 智己 / Tomoki Maruyama / マルヤマ トモキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 茉美 / Mami Fujii / フジイ マミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笠見 雅司 / Masashi Kasami / カサミ マサシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 出光興産株式会社 (略称： 出光興産) Idemitsu Kosan Co.,Ltd (略称： Idemitsu Kosan) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 公規 / Koki Yano / ヤノ コウキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 出光興産株式会社 (略称： 出光興産) Idemitsu Kosan Co.,Ltd (略称： Idemitsu Kosan) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀田 昌宏 / Masahiro Horita / ホリタ マサヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第7著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学/Core Research for Evolutional Science and Technolo (略称： 奈良先端大/JST) Nara Institute of Science and Technology/Core Research for Evolutional Science and Technology (略称： NAIST/JST-CREST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 17:25:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-203 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.99-102 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) |
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