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講演抄録/キーワード
講演名 2010-12-17 11:35
低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ
境野 剛瀧口 透外間洋平佐久間 仁綿谷 力柳楽 崇鈴木大輔青柳利隆石川高英石村栄太郎島 顕洋三菱電機LQE2010-119
抄録 (和) 1.3μm帯AlGaInAs系埋込型DFBレーザにて,p-InP基板を用いたパッシブ導波路集積型短共振器構造とすることで,100GbE規格 LAN-WDMを想定した50℃動作にて,4波長共に高効率で均一な特性が得られ,低動作電流25.8Gbps直接変調で大きなマスクマージンと良好な伝送特性を実現し,LR-4規格への適用を可能とした。 
(英) 1.3µm-band BH AlGaInAs short cavity DFB lasers are fabricated with p-InP substrate for 100GbE (25Gbps x 4 wavelengths). The developed lasers realize the excellent characteristics such as high slope efficiency, high mask margin and 10km transmission at 50 oC under 25.8Gbps modulation with low operation current. The lasers with the uniform characteristics over 4 wavelengths at LAN-WDM of 100GbE can be applied for LR-4 standards at the low power consumption.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) DFB laser / Direct modulation / 100GbE / 25.8Gbps / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 353, LQE2010-119, pp. 23-26, 2010年12月.
資料番号 LQE2010-119 
発行日 2010-12-10 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード LQE2010-119

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2010-12-17 - 2010-12-17 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 半導体レーザ関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2010-12-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 1.3μm 25.8Gbps direct modulation of BH AlGaInAs DFB lasers for low driving current 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / DFB laser  
キーワード(2)(和/英) / Direct modulation  
キーワード(3)(和/英) / 100GbE  
キーワード(4)(和/英) / 25.8Gbps  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 境野 剛 / Go Sakaino / サカイノ ゴウ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 (略称: 三菱電機)
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp. HOW)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 瀧口 透 / Toru Takiguchi / タキグチ トオル
第2著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 (略称: 三菱電機)
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp. HOW)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 外間 洋平 / Yohei Hokama / ホカマ ヨウヘイ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 (略称: 三菱電機)
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp. HOW)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐久間 仁 / Hitoshi Sakuma / サクマ ヒトシ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 (略称: 三菱電機)
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp. HOW)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 綿谷 力 / Chikara Watatani / ワタタニ チカラ
第5著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 (略称: 三菱電機)
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp. HOW)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳楽 崇 / Takashi Nagira / ナギラ タカシ
第6著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 (略称: 三菱電機)
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp. HOW)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 大輔 / Daisuke Suzuki / スズキ ダイスケ
第7著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 (略称: 三菱電機)
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp. HOW)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 青柳 利隆 / Toshitaka Aoyagi / アオヤギ トシタカ
第8著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 (略称: 三菱電機)
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp. HOW)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 高英 / Takahide Ishikawa / イシカワ タカヒデ
第9著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 (略称: 三菱電機)
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp. HOW)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 石村 栄太郎 / Eitaro Ishimura / イシムラ エイタロウ
第10著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 (略称: 三菱電機)
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp. HOW)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 島 顕洋 / Akihiro Shima / シマ アキヒロ
第11著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 (略称: 三菱電機)
High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp. HOW)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-12-17 11:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 LQE2010-119 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.353 
ページ範囲 pp.23-26 
ページ数
発行日 2010-12-10 (LQE) 


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