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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 16:40 起動回路に向けた基板順バイアス型0.18-V入力チャージポンプ回路 ○陳 柏宏・石田光一・張 信（東大）・大熊康介・劉 良勝（半導体理工学研究センター）・高宮 真・桜井貴康（東大）  ICD2010-128 |
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| 抄録 | （和） | 本論文では、0.18-V入力基板順バイアス型三段チャージポンプ回路を提案した。本回路はチャージポンプを構成する全てのトランジスタに中間電圧,または出力電圧から基板バイアスを与え、低電圧における性能を向上させた。本チャージポンプを起動回路に利用した場合ブーストコンバータの起動電圧も下げる事ができる。回路検証のため、４パターンのテスト回路を65-nm CMOS プロセスで試作し、測定を行った。測定の結果、0.18-V入力での提案チャージポンプ出力電流は150%以上改良された。本チャージポンプを応用したブーストコンバータは入力電圧0.18-Vから6-mA負荷電流で出力電圧を0.74-Vまで昇圧出来た。提案回路は環境エネルギーなどの極低電圧応用に適している。 |
| （英） | In this paper, a 0.18-V input three-stage charge pump circuit applying forward body bias is proposed. In the developed charge pump, all the MOSFETs are forward body biased by using the inter-stage/output voltages. By applying the proposed charge pump as the startup in the boost converter, the lower kick-up input voltage of the boost converter can be achieved. To verify the circuit characteristics, four test circuits have been implemented by using 65nm CMOS process. The measured available output current of the proposed charge pump under 0.18-V input voltage can be improved more than 150%. In addition, the boost converter can successfully been boosted from 0.18-V input to the 0.74-V output under 6mA output current. The proposed circuit is suitable for extremely low voltage applications such as harvesting energy sources. | |
| キーワード | （和） | チャージポンプ / ブーストコンバータ / 起動回路 / 基板順バイアス / / / / |
| （英） | charge pump / boost converter / startup circuit / forward body bias / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 344, ICD2010-128, pp. 169-173, 2010年12月. | |
| 資料番号 | ICD2010-128 | |
| 発行日 | 2010-12-09 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2010-128 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2010-12-16 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 東京大学 先端科学技術研究センター |
| 開催地（英） | RCAST, Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | Workshop for Graduate Student and Young Researchers |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2010-12-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 起動回路に向けた基板順バイアス型0.18-V入力チャージポンプ回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 0.18-V Input Charge Pump with Forward Body Biasing in Startup Circuit using 65nm CMOS |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | チャージポンプ / charge pump |
| キーワード(2)（和/英） | ブーストコンバータ / boost converter |
| キーワード(3)（和/英） | 起動回路 / startup circuit |
| キーワード(4)（和/英） | 基板順バイアス / forward body bias |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 陳 柏宏 / Po-Hung Chen / チェン ポーホン |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Tokyo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 光一 / Koichi Ishida / イシダ コウイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Tokyo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 張 信 / Xin Zhang / チョウ シン |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Tokyo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大熊 康介 / Yasuyuki Okuma / オオクマ ヤスユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Center (略称： STARC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 劉 良勝 / Yoshikatsu Ryu / リュウ ヨシカツ |
| 第5著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Center (略称： STARC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高宮 真 / Makoto Takamiya / タカミヤ マコト |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Tokyo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桜井 貴康 / Takayasu Sakurai / サクライ タカヤス |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Tokyo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 16:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2010-128 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.344 |
| ページ範囲 | pp.169-173 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-12-09 (ICD) |
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