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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 10:20 X線検出素子（Silicon Drift Detector）用Si基板の高抵抗率化 ～ シミュレーションによる評価 ～ ○北野谷征吾・西川誠二・松浦秀治（阪電通大）  SDM2010-186 |
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| 抄録 | （和） | 環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている．有害物質検査の短時間化を計るために，可搬できる蛍光X線検出器が望まれている．しかし，動作時にX線検出素子を液体窒素温度まで冷却するため冷却装置が必要であり，蛍光X線分析装置が大型化する．現在は，室温付近(ペルチェ冷却)で動作するX線検出素子として，Si基板を用いたSilicon Drift Detector(SDD)が市販されているが，歩留まりが悪いため高価であり，さらにCdの蛍光X線(23.5 keV)の吸収率は約15％しかない．SDDを簡素化させ，MOSFETを含まないリング本数3本の構造に対する研究を行った．今回は基板の高抵抗率化を行い，Cdの蛍光X線の吸収を高めるためにSi基板を厚くした際の問題点を解消する方法を検証する． |
| （英） | Several regulations for hazardous substances have been enforced due to the increase of awareness of environmental issues. To reduce those measurement times, it is required to carry out ready measurements. Since past X-ray detectors were operated at liquid nitrogen temperature, however, X-ray analysis equipments with those X-ray detectors were grown in size. Recently, silicon drift detectors (SDD) cooled by Peltier devices have been used. Because the structure of SDD with many p-rings is complicated, the cost of SDD rises. Moreover, the SDD can detect only 15 % of the X-ray fluorescence (23.5 keV) of Cd due to thin Si substrate. We have proposed and developed the simplified structure of X-ray detectors with only three p-rings. In this study, we aim to solve problems in our detectors fabricated using thicker Si substrate with higher resistivity in order to absorb a large part of the X-ray fluorescence (23.5 keV) of Cd. Keyword Silicon Drift Detector, X-ray Si Detector, Low-cost X-ray Si Detector, High-resistivity substrate |
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| キーワード | （和） | Silicon Drift Detector / X 線 Si 検出素子 / 低価格 / 高抵抗率基板 / / / / |
| （英） | Silicon Drift Detector / X-ray Si Detector / Low-cost X-ray Si Detector / High-resistivity substrate / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-186, pp. 7-12, 2010年12月. | |
| 資料番号 | SDM2010-186 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-186 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | X線検出素子（Silicon Drift Detector）用Si基板の高抵抗率化 |
| サブタイトル（和） | シミュレーションによる評価 |
| タイトル（英） | X-Ray Detectors (Silicon Drift Detectors) using Higher-Resistivity Si |
| サブタイトル（英） | Simulation Results |
| キーワード(1)（和/英） | Silicon Drift Detector / Silicon Drift Detector |
| キーワード(2)（和/英） | X 線 Si 検出素子 / X-ray Si Detector |
| キーワード(3)（和/英） | 低価格 / Low-cost X-ray Si Detector |
| キーワード(4)（和/英） | 高抵抗率基板 / High-resistivity substrate |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北野谷 征吾 / Seigo Kitanoya / キタノヤ セイゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西川 誠二 / Seiji Nishikawa / ニシカワ セイジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura / |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 10:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-186 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) |
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