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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 15:10 多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果 ○竹内光明・龍頭啓充・高岡義寛（京大）  SDM2010-197 |
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| 抄録 | （和） | n-オクタンから生成したC$_{3}$H$_{7}^{+}$およびC$_{6}$H$_{13}^{+}$ 多原子分子イオンをCH$_2$当り1 keVでSi(100)基板に照射し， 基板表面の化学状態をXPSにて評価した． その結果，照射量の増加と共に表面近傍に形成される炭化物堆積層厚が増加し， 1$\times$10$^{16}$\ carbons/cm$^{2}$ のC$_{3}$H$_{7}^{+}$ 照射で約9.5 nm， 1$\times$10$^{16}$\ carbons/cm$^{2}$ のC$_{6}$H$_{13}^{+}$ 照射にて約23 nmであることがわかった． イオン種による炭化物層厚の違いは，ファンデルワールス力の差異に起因していると考えられる． 炭化物堆積層を除いたSiCの分布深さは重いC$_{6}$H$_{13}^{+}$ の方が深くなる傾向であり，その原因については更に検討が必要であることがわかった． |
| （英） | C$_{3}$H$_{7}^{+}$}\ and C$_{6}$H$_{13}^{+}$\ polyatomic ion beams generated from n-octane were irradiated with 1 keV/CH$_2$ onto Si(100) substrate. From XPS analysis, C-C and/or CH layer was formed on the surface and grew up with increase of ion dose. The thickness of the layer was 9.5 nm and 23 nm for C$_{3}$H$_{7}^{+}$}\ 1$\times$10$^{15}$\ carbons/cm$^{2}$\ and $_{6}$H$_{13}^{+}$\ 1$times$10$^{15}$\ carbons/cm$^{2}$, respectively. The difference of thickness between C$_{3}$H$_{7}^{+}$}\ and C$_{6}$H$_{13}^{+}$\ irradiation was probably caused by van der Waals force. C$_{6}$H$_{13}^{+}$\ irradiated substrate tends to be deeper SiC distribution excluded the C-C and/or CH layer than C$_{3}$H$_{7}^{+}$}\ irradiation. | |
| キーワード | （和） | イオン照射 / シリコン / 多原子分子イオンビーム / オクタン / アルキル基 / X線光電子分光法 / / |
| （英） | Ion irradiation / silicon / polyatomic ion beam / octane / alkyl / x-ray photoelectron spectroscopy / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-197, pp. 69-72, 2010年12月. | |
| 資料番号 | SDM2010-197 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-197 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Irradiation Effects of Silicon Surface by Polyatomic Ion Beams |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオン照射 / Ion irradiation |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(3)（和/英） | 多原子分子イオンビーム / polyatomic ion beam |
| キーワード(4)（和/英） | オクタン / octane |
| キーワード(5)（和/英） | アルキル基 / alkyl |
| キーワード(6)（和/英） | X線光電子分光法 / x-ray photoelectron spectroscopy |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 光明 / Mitsuaki Takeuchi / タケウチ ミツアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 龍頭 啓充 / Hiromichi Ryuto / リュウトウ ヒロミチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高岡 義寛 / Gikan H. Takaoka / タカオカ ギカン |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 15:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-197 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.69-72 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) |
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