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講演抄録/キーワード
講演名 2010-12-17 10:45
歪補償法による多重積層量子ドットレーザの発振波長制御
赤羽浩一山本直克川西哲也NICTLQE2010-117
抄録 (和) 本研究では歪補償法を用いた多重積層量子ドット構造を利用し、1.55μm光通信波長帯半導体レーザの作製を行なった。量子ドットの密度は、歪補償法を用いることにより1×$10^12$/$cm^2$以上の高密度化を、結晶品質の劣化を伴うことなく達成した。また歪補償条件の変調により発振波長制御に関する研究を行なった。これにより多重積層量子ドットレーザにおいて発振波長を1.47μmから1.7μmまで230nmの広い範囲で制御することを可能にした。 
(英) We have fabricated a highly stacked InAs QD structure and incorporated it into a QD laser. We used a strain compensation technique to fabricate a uniform and ordered QD structure, without degrading crystal quality, with a density of more than $10^12$/$cm^2$ . Our QD laser consisted of highly stacked InAs QD layers grown on a InP(311)B substrate. Ground-state lasing of between 1.47 and 1.7 $\mu$m from highly-stacked InAs QD layers grown on an InP(311)B substrate was achieved with our QD laser. The achievement of ground-state lasing is attributable to the increase in QD density, which is a result of using the strain-compensation technique.
キーワード (和) 量子ドット / 半導体レーザ / 歪補償 / 多重積層 / / / /  
(英) Quantum dot / Semiconductor laser / Strain compensation / Multi-stack / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 353, LQE2010-117, pp. 13-16, 2010年12月.
資料番号 LQE2010-117 
発行日 2010-12-10 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード LQE2010-117

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2010-12-17 - 2010-12-17 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 半導体レーザ関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2010-12-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 歪補償法による多重積層量子ドットレーザの発振波長制御 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Wavelength Tunability of Highly Stacked Quantum Dot Laser Fabricated by a Strain Compensation Technique 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 量子ドット / Quantum dot  
キーワード(2)(和/英) 半導体レーザ / Semiconductor laser  
キーワード(3)(和/英) 歪補償 / Strain compensation  
キーワード(4)(和/英) 多重積層 / Multi-stack  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane / アカハネ コウイチ
第1著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto / ヤマモト ナオカツ
第2著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 川西 哲也 / Tetsuya Kawanishi / カワニシ テツヤ
第3著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-12-17 10:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 LQE2010-117 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.353 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数
発行日 2010-12-10 (LQE) 


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