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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 14:30 200keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化 ○野尻琢慎・西野公三・柳澤英樹・松浦秀治（阪電通大）・小野田 忍・大島 武（原子力機構）  SDM2010-195 |
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| 抄録 | （和） | 添加量の異なるAl-doped 4H-SiC及びN-doped 4H-SiCエピ膜に200 keVの電子線を照射した場合の多数キャリア密度の温度依存性を調べた．さらにこれらの実験結果を用いて，FCCS（Free Carrier Concentration Spectroscopy）法から電子線照射によるドーパント密度及び補償密度の変化を詳細に調べ，添加量及びドーパント種が及ぼす耐放射線性について検討した． |
| （英） | The temperature dependencies of the majority-carrier concentrations in Al-doped 4H-SiC or N-doped 4H-SiC epilayers with several densities of dopants (Al or N) are measured after the irradiation with 200keV electrons at several fluences. By FCCS (Free Carrier Concentration Spectroscopy) using the obtained data, we investigate the changes of the dopant density and compensating density by the irradiation, and discuss the influence of dopant densities or dopant species on these changes. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / Al-doped SiC / N-doped SiC / 電子線照射 / 正孔密度の減少 / 電子密度の減少 / アクセプタ密度の減少 / ドナー密度の減少 |
| （英） | 4H-SiC / Al-doped SiC / N-doped SiC / Electron irradiation / Reduction in hole concentration / Reduction in electron concentration / Decrease in acceptor density / Decrease in donor density | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-195, pp. 57-62, 2010年12月. | |
| 資料番号 | SDM2010-195 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-195 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 200keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Change of majority carrier density in 4H-SiC epilayer by 200keV electron irradiation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | Al-doped SiC / Al-doped SiC |
| キーワード(3)（和/英） | N-doped SiC / N-doped SiC |
| キーワード(4)（和/英） | 電子線照射 / Electron irradiation |
| キーワード(5)（和/英） | 正孔密度の減少 / Reduction in hole concentration |
| キーワード(6)（和/英） | 電子密度の減少 / Reduction in electron concentration |
| キーワード(7)（和/英） | アクセプタ密度の減少 / Decrease in acceptor density |
| キーワード(8)（和/英） | ドナー密度の減少 / Decrease in donor density |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野尻 琢慎 / Takunori Nojiri / ノジリ タクノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西野 公三 / Kozo Nishino / ニシノ コウゾウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳澤 英樹 / Hideki Yanagisawa / ヤナギサワ ヒデキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura / マツウラ ヒデハル |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野田 忍 / Shinobu Onoda / オノダ シノブ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本原子力研究開発機構 (略称： 原子力機構) Japan Atomic Energy Agency (略称： JAEA) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 武 / Takeshi Ohshima / |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本原子力研究開発機構 (略称： 原子力機構) Japan Atomic Energy Agency (略称： JAEA) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 14:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-195 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.57-62 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) |
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