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| 講演名 | 2010-12-17 13:50 Misleading Energy and Performance Claims in Sub/Near Threshold Digital Systems ○Yu Pu・Xin Zhang・Jim Huang（Univ. of Tokyo）・Atsushi Muramatsu・Masahiro Nomura・Koji Hirairi・Hidehiro Takata・Taro Sakurabayashi・Shinji Miyano（STARC）・Makoto Takamiya・Takayasu Sakurai（Univ. of Tokyo）  ICD2010-122 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2010-122 |
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| 抄録 | （和） | Many of us in the field of ultra-low-Vdd processors experience difficulty in assessing the sub/near threshold circuit techniques proposed by earlier papers. This paper investigates three major pitfalls which are often not appreciated by researchers when claiming that their circuits outperform others by working at a lower Vdd with a higher energy-efficiency. These pitfalls include: i) overlook the impacts of different technologies and different Vth definitions, ii) only emphasize energy reduction but ignore severe throughput degradation, or expect impractical pipelining depth and parallelism degree to compensate this throughput degradation, iii) unrealistically assume that memory's Vdd and energy could scale as well as standard cells. Therefore, the actual energy benefit from using a sub/near threshold Vdd can be greatly overestimated. This work provides some design guidelines and silicon evidence to ultra-low-Vdd systems. The outlined pitfalls also shed light on future directions in this field. |
| （英） | Many of us in the field of ultra-low-Vdd processors experience difficulty in assessing the sub/near threshold circuit techniques proposed by earlier papers. This paper investigates three major pitfalls which are often not appreciated by researchers when claiming that their circuits outperform others by working at a lower Vdd with a higher energy-efficiency. These pitfalls include: i) overlook the impacts of different technologies and different Vth definitions, ii) only emphasize energy reduction but ignore severe throughput degradation, or expect impractical pipelining depth and parallelism degree to compensate this throughput degradation, iii) unrealistically assume that memory's Vdd and energy could scale as well as standard cells. Therefore, the actual energy benefit from using a sub/near threshold Vdd can be greatly overestimated. This work provides some design guidelines and silicon evidence to ultra-low-Vdd systems. The outlined pitfalls also shed light on future directions in this field. | |
| キーワード | （和） | low energy / sub-threshold / near-threshold / digital circuits / / / / |
| （英） | low energy / sub-threshold / near-threshold / digital circuits / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 344, ICD2010-122, pp. 135-140, 2010年12月. | |
| 資料番号 | ICD2010-122 | |
| 発行日 | 2010-12-09 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2010-122 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2010-122 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2010-12-16 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 東京大学 先端科学技術研究センター |
| 開催地（英） | RCAST, Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | Workshop for Graduate Student and Young Researchers |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2010-12-ICD |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Misleading Energy and Performance Claims in Sub/Near Threshold Digital Systems |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | low energy / low energy |
| キーワード(2)（和/英） | sub-threshold / sub-threshold |
| キーワード(3)（和/英） | near-threshold / near-threshold |
| キーワード(4)（和/英） | digital circuits / digital circuits |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Yu Pu / Yu Pu / |
| 第1著者 所属（和/英） | University of Tokyo (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Xin Zhang / Xin Zhang / |
| 第2著者 所属（和/英） | University of Tokyo (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Jim Huang / Jim Huang / |
| 第3著者 所属（和/英） | University of Tokyo (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Atsushi Muramatsu / Atsushi Muramatsu / |
| 第4著者 所属（和/英） | Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： STARC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | Masahiro Nomura / Masahiro Nomura / |
| 第5著者 所属（和/英） | Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： STARC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | Koji Hirairi / Koji Hirairi / |
| 第6著者 所属（和/英） | Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： STARC) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | Hidehiro Takata / Hidehiro Takata / |
| 第7著者 所属（和/英） | Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： STARC) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | Taro Sakurabayashi / Taro Sakurabayashi / |
| 第8著者 所属（和/英） | Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： STARC) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | Shinji Miyano / Shinji Miyano / |
| 第9著者 所属（和/英） | Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： STARC) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | Makoto Takamiya / Makoto Takamiya / |
| 第10著者 所属（和/英） | University of Tokyo (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | Takayasu Sakurai / Takayasu Sakurai / |
| 第11著者 所属（和/英） | University of Tokyo (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2010-122 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.344 |
| ページ範囲 | pp.135-140 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-12-09 (ICD) |
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