講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-12-17 17:15
紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ ○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・内山和也・菅 博文(浜松ホトニクス) LQE2010-128 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2010-128 |
抄録 |
(和) |
AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した.GaN/AlGaNおよびAlGaN多重量子井戸型のレーザダイオードは,低転位のAlGaN結晶上に作製したもので,その発振波長は最も短いものでは336nmとなり,GaNのバンドギャップに相当する波長を遥かに下回る発振波長を達成した.本研究では、デバイスの光学および温度特性に加えキャリア再結合についても評価を行った。高品質のAlGaN結晶上に作製したAlGaN系レーザダイオードに関する数々の結果は,今後さらに短波長の紫外レーザダイオードを実現する上で極めて重要である. |
(英) |
We have demonstrated the room-temperature operations of AlGaN based laser diodes under pulsed-current mode. AlGaN laser diodes have been fabricated on the low dislocation density AlGaN films. The laser diodes lased at a peak wavelength down to 336 nm far beyond the GaN band gap. The optical and temperature characteristics as well as the carrier recombination of the devices have been investigated. The results on the AlGaN based laser diodes grown on the high quality AlGaN films presented here will be essential for the future development of laser diodes emitting much shorter wavelength. |
キーワード |
(和) |
GaN / AlGaN / 紫外 / レーザダイオード / 半導体レーザ / / / |
(英) |
GaN / AlGaN / ultraviolet / laser diodes / semiconductor lasers / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 353, LQE2010-128, pp. 63-67, 2010年12月. |
資料番号 |
LQE2010-128 |
発行日 |
2010-12-10 (LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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