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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 17:15 紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ ○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・内山和也・菅 博文（浜松ホトニクス）  LQE2010-128 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した．GaN/AlGaNおよびAlGaN多重量子井戸型のレーザダイオードは，低転位のAlGaN結晶上に作製したもので，その発振波長は最も短いものでは336nmとなり，GaNのバンドギャップに相当する波長を遥かに下回る発振波長を達成した．本研究では、デバイスの光学および温度特性に加えキャリア再結合についても評価を行った。高品質のAlGaN結晶上に作製したAlGaN系レーザダイオードに関する数々の結果は，今後さらに短波長の紫外レーザダイオードを実現する上で極めて重要である． |
| （英） | We have demonstrated the room-temperature operations of AlGaN based laser diodes under pulsed-current mode. AlGaN laser diodes have been fabricated on the low dislocation density AlGaN films. The laser diodes lased at a peak wavelength down to 336 nm far beyond the GaN band gap. The optical and temperature characteristics as well as the carrier recombination of the devices have been investigated. The results on the AlGaN based laser diodes grown on the high quality AlGaN films presented here will be essential for the future development of laser diodes emitting much shorter wavelength. | |
| キーワード | （和） | GaN / AlGaN / 紫外 / レーザダイオード / 半導体レーザ / / / |
| （英） | GaN / AlGaN / ultraviolet / laser diodes / semiconductor lasers / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 353, LQE2010-128, pp. 63-67, 2010年12月. | |
| 資料番号 | LQE2010-128 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2010-128 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN semiconductor lasers for short ultraviolet region |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 紫外 / ultraviolet |
| キーワード(4)（和/英） | レーザダイオード / laser diodes |
| キーワード(5)（和/英） | 半導体レーザ / semiconductor lasers |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 治正 / Harumasa Yoshida / ヨシダ ハルマサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) Hamamatsu Photonics K.K. (略称： Hamamatsu Photonics) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑原 正和 / Masakazu Kuwabara / クワバラ マサカズ |
| 第2著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) Hamamatsu Photonics K.K. (略称： Hamamatsu Photonics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 陽滋 / Yoji Yamashita / ヤマシタ ヨウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) Hamamatsu Photonics K.K. (略称： Hamamatsu Photonics) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内山 和也 / Kazuya Uchiyama / ウチヤマ カズヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) Hamamatsu Photonics K.K. (略称： Hamamatsu Photonics) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菅 博文 / Hirofumi Kan / カン ヒロフミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) Hamamatsu Photonics K.K. (略称： Hamamatsu Photonics) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 17:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2010-128 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.353 |
| ページ範囲 | pp.63-67 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-12-10 (LQE) |
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