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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 11:40 結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化 ○舟谷友宏・平田憲司・高山 環・長谷川光洋・冬木 隆（奈良先端大）  SDM2010-190 |
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| 抄録 | （和） | 近年、シリコン太陽電池の低コスト化と高効率化の2つの要素を可能とするプロセスの開発が急務であり、その1つとしてレーザードーピングプロセスが挙げられる。本研究ではドーパントプレカーサー層に着目し、スパッタリング法でPSG (Phosphorus Silicate Glass)膜を形成し、膜の物性とドーピング特性の関連性を解明することを目的とする。今回、PSG膜厚を変化させた場合のレーザー照射後の基板表面の変化やドーパント濃度やその深さについて解析を行い、太陽電池特性への影響も調べた。 |
| （英） | This paper presents influence of dopant precursor layer in Laser Doping (LD) for silicon solar cells. Recently，reducing costs and high-efficiency technology of crystalline silicon solar cells is important．LD process permit these tasks. The purpose of this research is to analyze physical properties of PSG made by sputtering method and doping properties after LD. We also analyzed surface of substrate after laser irradiation，the dependence of PSG thickness for surface，dopant depth and concentration after LD. | |
| キーワード | （和） | レーザードーピング / 太陽電池 / Phosphorus Silicate Glass (PSG) / / / / / |
| （英） | Laser Doping / Solar Cells / Phosphorus Silicate Glass (PSG) / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-190, pp. 29-32, 2010年12月. | |
| 資料番号 | SDM2010-190 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-190 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optimization of Laser Doping by Controlled Dopant Precursor Layer in Silicon Solar Cell Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | レーザードーピング / Laser Doping |
| キーワード(2)（和/英） | 太陽電池 / Solar Cells |
| キーワード(3)（和/英） | Phosphorus Silicate Glass (PSG) / Phosphorus Silicate Glass (PSG) |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舟谷 友宏 / Tomohiro Funatani / フナタニ トモヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平田 憲司 / Kenji Hirata / ヒラタ ケンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高山 環 / Tamaki Takayama / タカヤマ タマキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 光洋 / Mitsuhiro Hasegawa / ハセガワ ミツヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 11:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-190 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.29-32 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) |
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