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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-01-14 13:00 3C-SiC-OI基板上でのMOSゲート絶縁膜のプロセス依存性 ○横山圭祐・中村浩之・中尾 基・大西克典（九工大）  ED2010-187 MW2010-147 |
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| 抄録 | （和） | 3C-SiC-OI基板上にMOS構造を作製し，そのゲート絶縁膜の特性を評価した．従来SiC上に熱酸化により形成されたSiO2膜はCが混在するために，その絶縁，界面特性が十分でない事が知られている．今回は単結晶SiC基板に比べて比較的安易に製造されることが期待される3C-SiC-OI基板上で，熱酸化に加えて，CVD法による堆積，Poly-Si堆積後の熱酸化の手法を比較し，このうち，Poly-Siを熱酸化したサンプルでは絶縁特性の向上を得る事が出来た． |
| （英） | We investigated various SiO2 gate insulators on 3C-SiC-OI wafers. While SiC is considered one of the most promising substrate materials for high-temperature and high-voltage applications, SiC MOSFETs are not widely deployed due to lack of reliable gate insulators. In this study, we fabricated SiO2 gate insulators with three different process techniques, namely thermal oxide of SiC substrate, thermal oxidation of deposited poly-Si, and PE-CVD, on top of 3C-SiC-OI wafers, which has the potential of mass production of large diameter wafers. Poly-Si oxidation exhibited the largest breakdown field, presumably due to elimination of C atoms in the oxide and at the interface. | |
| キーワード | （和） | 3C-SiC-OI / ゲート絶縁膜 / 絶縁特性 / 界面特性 / / / / |
| （英） | 3C-SiC-OI / Gate insulation film / Insulating property / Interfacial quality / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 358, ED2010-187, pp. 65-68, 2011年1月. | |
| 資料番号 | ED2010-187 | |
| 発行日 | 2011-01-06 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-187 MW2010-147 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2011-01-13 - 2011-01-14 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices/Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 3C-SiC-OI基板上でのMOSゲート絶縁膜のプロセス依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Process dependence of MOS gate dielectric films on 3C-SiC-OI |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3C-SiC-OI / 3C-SiC-OI |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート絶縁膜 / Gate insulation film |
| キーワード(3)（和/英） | 絶縁特性 / Insulating property |
| キーワード(4)（和/英） | 界面特性 / Interfacial quality |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 圭祐 / Keisuke Yokoyama / ヨコヤマ ケイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 浩之 / Hiroyuki Nakamura / ナカムラ ヒロユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中尾 基 / Motoi Nakao / ナカオ モトイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大西 克典 / Katsunori Onishi / オオニシ カツノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： KIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-01-14 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-187, MW2010-147 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.358(ED), no.359(MW) |
| ページ範囲 | pp.65-68 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-01-06 (ED, MW) |
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