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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-01-14 09:30 デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 ○田島正文・橋詰 保（北大）  ED2010-182 MW2010-142 |
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| 抄録 | （和） | 我々はデュアルゲート構造を用いてゲートストレス位置がAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）の電流コラプスの振舞いに与える影響を評価した。オフ状態でのゲート電圧ストレスをメインゲートとドレイン電極の間のアディショナルゲートに印加した時、オン抵抗（RON）の顕著な増大が確認された。一方、メインゲートへのオフ状態ストレスはRONの増加と同様にドレイン飽和電流の減少を引き起こした。AlGaN表面の電界計算によって、ドレインとソース側のゲート端に電界集中が存在し、それがAlGaN表面の両側のゲート端領域に電子蓄積を引き起こす可能性があることが示された。これらの結果は、オフ状態ゲートストレスがゲート端からドレインとソースの両方向へ“仮想ゲート”を広げていることを指し示している。 |
| （英） | By using a dual-gate structure, we have investigated impact of gate-stress position on the current collapse behavior of AlGaN/GaN HEMTs. When the gate-bias stress under off state was applied to the additional gate between the main gate and the drain electrode, we observed a marked increase in on-resistance (RON). On the other hand, the off-state stress on the main gate itself caused decrease in drain saturation current as well as increase in RON. The calculation of electric field at the AlGaN surface showed that the field peaks existed at the gate edges on the drain and source sides, probably causing electron charging at the AlGaN surface in both gate-edge areas. These results indicated that the off-state gate stress induces “virtual gates” in the gate edges expanding both drain and source directions. | |
| キーワード | （和） | AlGaN / GaN / HEMT / 電流コラプス / 動作安定性 / デュアルゲート構造 / / |
| （英） | AlGaN / GaN / HEMT / current collapse / operation stability / dual-gate structure / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 358, ED2010-182, pp. 41-44, 2011年1月. | |
| 資料番号 | ED2010-182 | |
| 発行日 | 2011-01-06 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-182 MW2010-142 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2011-01-13 - 2011-01-14 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices/Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current collapse characterization of AlGaN/GaN HEMTs using by dual-gate structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| キーワード(5)（和/英） | 動作安定性 / operation stability |
| キーワード(6)（和/英） | デュアルゲート構造 / dual-gate structure |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田島 正文 / Masafumi Tajima / タジマ マサフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-01-14 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-182, MW2010-142 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.358(ED), no.359(MW) |
| ページ範囲 | pp.41-44 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-01-06 (ED, MW) |
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