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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-01-14 11:00 Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響 ○古川拓也・賀屋秀介・池田成明・加藤禎宏（次世代パワーデバイス技研組合）  ED2010-185 MW2010-145 |
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| 抄録 | （和） | Si基板上AlGaN/GaN HFETにおいて、高濃度Cドーピングの影響を明らかにするため、AlGaN/GaN界面に近いGaN層中に、高濃度にCをドーピングしたSi基板上AlGaN/GaN HFETを作製、評価した。結果、オン抵抗を維持したまま、ゲート-ドレイン間距離当たりの耐圧が向上した。また、電流コラプスについても評価を行い、高濃度Cドーピングによる特性の悪化は見られなかった。以上の結果より、GaN層へのCドーピングは低損失パワーデバイス実現のために有効であることが示唆された。 |
| （英） | In this paper, AlGaN/GaN/HFET devices on Si substrates were fabricated, and the device characteristics were examined. In order to improve a trade-off between the specific on-resistance(RonA) and the breakdown voltage(Vb), carbon was highly doped into a GaN layer, resulting in an improvement of Vb per unit gate-drain length (Lgd) without degrading on-state characteristics or current collapse. | |
| キーワード | （和） | GaN / HFET / Si基板 / Cドープ / オン抵抗 / 耐圧 / / |
| （英） | GaN / HFET / Si substrate / C doping / on-resistance / breakdown voltage / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 358, ED2010-185, pp. 55-59, 2011年1月. | |
| 資料番号 | ED2010-185 | |
| 発行日 | 2011-01-06 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-185 MW2010-145 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2011-01-13 - 2011-01-14 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices/Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN/GaN HFETs using highly C-doped layers on Si substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(3)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(4)（和/英） | Cドープ / C doping |
| キーワード(5)（和/英） | オン抵抗 / on-resistance |
| キーワード(6)（和/英） | 耐圧 / breakdown voltage |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古川 拓也 / Takuya Kokawa / コカワ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 次世代パワーデバイス技術研究組合 (略称： 次世代パワーデバイス技研組合) Advanced Power Device Research Association (略称： APD) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 賀屋 秀介 / Syusuke Kaya / カヤ シュウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 次世代パワーデバイス技術研究組合 (略称： 次世代パワーデバイス技研組合) Advanced Power Device Research Association (略称： APD) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 成明 / Nariaki Ikeda / イケダ ナリアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 次世代パワーデバイス技術研究組合 (略称： 次世代パワーデバイス技研組合) Advanced Power Device Research Association (略称： APD) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 禎宏 / Sadahiro Kato / カトウ サダヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 次世代パワーデバイス技術研究組合 (略称： 次世代パワーデバイス技研組合) Advanced Power Device Research Association (略称： APD) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-01-14 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-185, MW2010-145 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.358(ED), no.359(MW) |
| ページ範囲 | pp.55-59 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-01-06 (ED, MW) |
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